DIODES INC. ES2B Быстрый / ультрабыстрый диод, 100 В, 2 А, Одиночный, 900 мВ, 25 нс, 50 А
Метка: 900 мВ
on-semiconductor, 1n5408rlg, diode-standard-3a-1kv-axial,
ON SEMICONDUCTOR 1N5408RLG Стандартный силовой диод, 1 кВ, 3 А, Одиночный, 900 мВ, 200 А
texas-instruments, pth05000waz, dc-dc-5vin-6a-adj-o-p-smd-5000,
TEXAS INSTRUMENTS PTH05000WAZ POL DC/DC преобразователь, Регулируемый, DIP Поверхностного Монтажа, 21.6 Вт, 900 мВ, 3.6 В, 6 А
fairchild-semiconductor, fdc6327c, mosfet-dual-np-supersot-6,
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC6327C Двойной МОП-транзистор, N и P Канал, 1.9 А, 20 В, 0.069 Ом, 4.5 В, 900 мВ
infineon, bso201sphxuma1, mosfet-p-ch-20v-12a-soic-8,
INFINEON BSO201SPHXUMA1 МОП-транзистор, P Канал, -12 А, -20 В, 0.0067 Ом, -4.5 В, -900 мВ
on-semiconductor, ntgd4167ct1g, mosfet-np-ch-30v-2-6a-tsop-6,
ON SEMICONDUCTOR NTGD4167CT1G Двойной МОП-транзистор, N и P Канал, 2.6 А, 30 В, 52 мОм, 4.5 В, 900 мВ
texas-instruments, pth08080wazt, ic-dc-dc-adj-smd-8080-8080,
TEXAS INSTRUMENTS PTH08080WAZT POL DC/DC преобразователь, Регулируемый, DIP Поверхностного Монтажа, 10 Вт, 900 мВ, 5.5 В, 2.25 А
nxp, nx3008nbkmb, mosfet-n-ch-30v-0-53a-sot883b,
NX3008NBKMB МОП-транзистор, N Канал, 530 мА, 30 В, 1 Ом, 4.5 В, 900 мВ
multicomp, es2d, diode-ultra-fast-2a-200v,
MULTICOMP ES2D Быстрый / ультрабыстрый диод, 200 В, 2 А, Одиночный, 900 мВ, 35 нс, 50 А
vishay, bas386, diode-schottky-0-2a,
VISHAY BAS386 Диод Шоттки малого сигнала, Одиночный, 50 В, 200 мА, 900 мВ, 5 А, 125 °C