infineon, bsc190n15ns3gatma1, mosfet-n-ch-150v-50a-tdson-8,

INFINEON BSC190N15NS3GATMA1 МОП-транзистор, N Канал, 50 А, 150 В, 0.016 Ом, 10 В, 3 В

vishay, si4128dy-t1-ge3, mosfet-n-ch-30v-10-9a-so8,

VISHAY SI4128DY-T1-GE3 МОП-транзистор, N Канал, 10.9 А, 30 В, 20 мОм, 10 В, 1 В

fairchild-semiconductor, fdb0190n807l, mosfet-n-ch-80v-270a-to-263-7,

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB0190N807L МОП-транзистор, N Канал, 270 А, 80 В, 0.0013 Ом, 10 В, 2.9 В

rohm, 2sb1694frat106, transistor-aec-q101-pnp-30v-sot,

ROHM 2SB1694FRAT106 Биполярный транзистор, PNP, -30 В, 320 МГц, 200 мВт, -1 А, 270 hFE

littelfuse, mcr08mt1g, thyristor-0-6a-800v-sot-223,

LITTELFUSE MCR08MT1G Тиристор, 600 В, 200 мкА, 0.8 А, 800 мА, SOT-223, 4 вывод(-ов)

rohm, rtq035n03tr, mosfet-n-30v-3-5a,

ROHM RTQ035N03TR МОП-транзистор, N Канал, 3.5 А, 30 В, 38 мОм, 4.5 В, 1.5 В

nxp, pmv32up, mosfet-p-ch-20v-4a-sot23,

NEXPERIA PMV32UP МОП-транзистор, P Канал, -4 А, -20 В, 0.032 Ом, -4.5 В, -700 мВ

on-semiconductor, ntr1p02t1g, p-channel-mosfet-20v-1a-sot-23,

ON SEMICONDUCTOR NTR1P02T1G МОП-транзистор, P Канал, 1 А, -20 В, 0.148 Ом, -10 В, -1.9 В