stmicroelectronics, pd85004, rf-mosfet-n-ch-40v-sot-89-3,

STMICROELECTRONICS PD85004 РЧ полевой транзистор, 40 В, 2 А, 6 Вт, 1 ГГц, SOT-89

vishay, si7611dn-t1-ge3, mosfet-p-channel-40v-18a-powerpak,

VISHAY SI7611DN-T1-GE3. MOSFET, P CHANNEL, -40V, -18A, POWERPAK 1212-8

rohm, dtc123juat106, transistor,

ROHM DTC123JUAT106 Биполярный транзистор, NPN, 50 В, 250 МГц, 200 мВт, 100 мА, 80 hFE

multicomp, bzv55c4v7, zener-diode-0-5w-4-7v-sod-80c,

MULTICOMP BZV55C4V7 Диод Зенера, 4.7 В, 500 мВт, SOD-80C, 5 %, 2 вывод(-ов), 200 °C Новинка

diodes-inc, zvn4310gta, mosfet-n-ch-100v-1-67a-sot223,

DIODES INC. ZVN4310GTA МОП-транзистор, режим обогащения, N Канал, 1.67 А, 100 В, 0.4 Ом, 10 В, 1 В

infineon, irlhs6376trpbf, mosfet-dual-n-ch-30v-3-6a-pqfn,

INFINEON IRLHS6376TRPBF Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 3.6 А, 30 В, 0.048 Ом, 4.5 В, 800 мВ

taiwan-semiconductor, bas16, diode-small-sig-75v-0-2a-sot-23,

TAIWAN SEMICONDUCTOR BAS16 Диод слабых сигналов, Одиночный, 75 В, 200 мА, 1.25 В, 6 нс, 2 А Новинка

nxp, pbss5480x, transistor-pnp-sot-89,

NEXPERIA PBSS5480X Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 125 МГц, 550 мВт, 4 А, 300 hFE

rohm, dtc114euafrat106, trans-npn-10k-10k-sot-323,

ROHM DTC114EUAFRAT106 Биполярный цифровой/смещение транзистор, AEC-Q101, 50 В, 100 мА, 10 кОм, 10 кОм, 1 соотношение