DIODES INC. ZXMP6A13GTA МОП-транзистор, режим обогащения, P Канал, -1.7 А, -60 В, 0.39 Ом, -10 В, -1 В
Метка: режим обогащения
diodes-inc, bsp75n, mosfet-n-ch-60v-1-1a-sot-223,
DIODES INC. BSP75N МОП-транзистор, режим обогащения, N Канал, 1.1 А, 60 В, 500 мОм, 10 В, 2.1 В
diodes-inc, zxmp3a16gta, mosfet-p-ch-30v-5-4a-sot223,
DIODES INC. ZXMP3A16GTA МОП-транзистор, режим обогащения, P Канал, -5.4 А, -30 В, 0.045 Ом, -10 В, -1 В
diodes-inc, zxmp10a18gta, mosfet-p-ch-100v-2-6a-sot223,
DIODES INC. ZXMP10A18GTA МОП-транзистор, режим обогащения, P Канал, -2.6 А, -100 В, 0.15 Ом, -10 В, -2 В
diodes-inc, zxmc4559dn8tc, mosfet-np-ch-60v-4-7a-3-9a-so8,
DIODES INC. ZXMC4559DN8TC Двойной МОП-транзистор, режим обогащения, N и P Канал, 4.7 А, 60 В, 0.055 Ом, 10 В, -1 В
diodes-inc, dmn3300u, mosfet-n-ch-w-diode-30v-2a-sot23,
DIODES INC. DMN3300U МОП-транзистор, режим обогащения, N Канал, 2 А, 30 В, 0.1 Ом, 4.5 В, 500 мВ
diodes-inc, dmn3110s, mosfet-n-ch-30v-3-3a-sot23,
DIODES INC. DMN3110S МОП-транзистор, режим обогащения, N Канал, 3.3 А, 30 В, 0.054 Ом, 10 В, 1 В
diodes-inc, dmn3007lss, mosfet-n-ch-w-diode-30v-16a-so8,
DIODES INC. DMN3007LSS МОП-транзистор, режим обогащения, N Канал, 16 А, 30 В, 0.005 Ом, 10 В, 1.3 В
diodes-inc, dmn3007lss, mosfet-n-ch-w-diode-30v-16a-so8,
DIODES INC. DMN3007LSS МОП-транзистор, режим обогащения, N Канал, 16 А, 30 В, 0.005 Ом, 10 В, 1.3 В
diodes-inc, dmn4800lssl, mosfet-n-ch-w-diode-30v-8a-so8,
DIODES INC. DMN4800LSSL МОП-транзистор, режим обогащения, N Канал, 6.7 А, 30 В, 0.011 Ом, 10 В, 1.2 В