Категория: Транзисторы с каналом P SMD Технические характеристики,описание: ADVANCED POWER ELECTRONICS AP2307GN-HF-3TB Транзистор: МОП р-канальный; полевой; -16В; -4А; 1,38Вт; SOT23
Метка: МОП р-канальный
ADVANCED POWER ELECTRONICS,AP2307GN-HF-3TB
ADVANCED POWER ELECTRONICS,AP2303GN-HF-3TR 
Категория: Транзисторы с каналом P SMD Технические характеристики,описание: ADVANCED POWER ELECTRONICS AP2303GN-HF-3TR Транзистор: МОП р-канальный; полевой; -30В; -1,9А; 1,38Вт; SOT23
INFINEON TECHNOLOGIES,BSP171PH6327 
Категория: Транзисторы с каналом P SMD Технические характеристики,описание: INFINEON TECHNOLOGIES BSP171PH6327 Транзистор: МОП р-канальный; полевой; -60В; -1,7А; 1,6Вт; SOT223
NXP,BSS84.215 
Категория: Транзисторы с каналом P SMD Технические характеристики,описание: NXP BSS84.215 Транзистор: МОП р-канальный; 50В; 130мА; 250мВт; SOT23
INTERNATIONAL RECTIFIER,IRF7726TRPBF 
Категория: Транзисторы с каналом P SMD Технические характеристики,описание: INTERNATIONAL RECTIFIER IRF7726TRPBF Транзистор: МОП р-канальный; полевой; -30В; -7А; 1,79Вт; SO8
INTERNATIONAL RECTIFIER,IRFR9120NTRPBF 
Категория: Транзисторы с каналом P SMD Технические характеристики,описание: INTERNATIONAL RECTIFIER IRFR9120NTRPBF Транзистор: МОП р-канальный; полевой; HEXFET; -100В; -6,5А; 39Вт
VISHAY,IRFR9014PBF 
Категория: Транзисторы с каналом P SMD Технические характеристики,описание: VISHAY IRFR9014PBF Транзистор: МОП р-канальный; полевой; -60В; -5,1А; 25Вт; TO252AA
MICROCHIP TECHNOLOGY,TP2540N3-G 
Категория: Транзисторы с каналом P THT Технические характеристики,описание: MICROCHIP TECHNOLOGY TP2540N3-G Транзистор: МОП р-канальный; -400В; -400мА; 740мВт; TO92
MICROCHIP TECHNOLOGY,VP2450N8-G 
Категория: Транзисторы с каналом P SMD Технические характеристики,описание: MICROCHIP TECHNOLOGY VP2450N8-G Транзистор: МОП р-канальный; -500В; -200мА; 1,6Вт; SOT89-3
INTERNATIONAL RECTIFIER,IRFHS9351TRPBF 
Категория: Транзисторы с каналом P SMD Технические характеристики,описание: INTERNATIONAL RECTIFIER IRFHS9351TRPBF Транзистор: МОП р-канальный; полевой; HEXFET; -30В; -2,3А; 1,4Вт
