INFINEON BSC16DN25NS3GATMA1 МОП-транзистор, N Канал, 10.9 А, 250 В, 0.146 Ом, 10 В, 3 В
Метка: N Канал
advanced-power-electronics-corp, ap4800cgm-hf-3tr, mosfet-nch-30v-14mohm-so-8,
ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP AP4800CGM-HF-3TR МОП-транзистор, N Канал, 10.4 А, 30 В, 0.014 Ом, 10 В, 1 В
fairchild-semiconductor, fqu13n06ltu, mosfet-n-ch-60v-11a-to-251aa-3,
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQU13N06LTU МОП-транзистор, N Канал, 11 А, 60 В, 0.092 Ом, 10 В, 2.5 В
on-semiconductor, 3ln01c-tb-h, mosfet-n-ch-30v-0-15a-sot-23,
ON SEMICONDUCTOR 3LN01C-TB-H МОП-транзистор, N Канал, 150 мА, 30 В, 2.9 Ом, 4 В Новинка
on-semiconductor, ntd5865nlt4g, mosfet-n-ch-w-diode-60v-40a-dpak,
ON SEMICONDUCTOR NTD5865NLT4G МОП-транзистор, N Канал, 40 А, 60 В, 0.013 Ом, 10 В, 1 В
nxp, 2n7002p-215, mosfet-n-ch-60v-0-36a-sot23,
2N7002P,215 МОП-транзистор, N Канал, 360 мА, 60 В, 1 Ом, 10 В, 1.75 В
nxp, buk962r1-40e, mosfet-n-ch-40v-120a-d2pak,
NEXPERIA BUK962R1-40E МОП-транзистор, N Канал, 120 А, 40 В, 1700 мкОм, 5 В, 1.7 В
fuji-electric, 1mbi50u4f-120l-50, igbt-chopp-u-ser-50a-1200v-m232,
FUJI ELECTRIC 1MBI50U4F-120L-50 БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 50 А, 1.2 кВ, 275 Вт, Module
infineon, irlr8743pbf, mosfet-n-d-pak,
INFINEON IRLR8743PBF МОП-транзистор, N Канал, 160 А, 30 В, 3.1 мОм, 10 В, 1.9 В
texas-instruments, csd19531kcs, mosfet-n-channel-100v-100a-to,
TEXAS INSTRUMENTS CSD19531KCS МОП-транзистор, NexFET™, N Канал, 100 А, 100 В, 0.0064 Ом, 10 В, 2.7 В