on-semiconductor, cm1241-04d4, diode-tvs-esd-dual-vo-4-ch-tdfn8,

ON SEMICONDUCTOR CM1241-04D4 Защитное устройство от ЭСР, TVS, 9.64 В, WDFN, 8 вывод(-ов), 14.5 В

on-semiconductor, ntr2101pt1g, mosfet-p-8v-sot-23,

ON SEMICONDUCTOR NTR2101PT1G МОП-транзистор, P Канал, -3.7 А, -8 В, 52 мОм, -4.5 В, -1 В

on-semiconductor, cm1293a-04so, diode-esd-protection-3-3v-1-5pf,

ON SEMICONDUCTOR CM1293A-04SO Защитное устройство от ЭСР, 4 канала, 9.9 В, SC-74, 6 вывод(-ов), 3.3 В

on-semiconductor, nvmfs5834nlt1g, mosfet-aec-q101-n-ch-40v-dfn,

ON SEMICONDUCTOR NVMFS5834NLT1G МОП-транзистор, N Канал, 75 А, 40 В, 0.0071 Ом, 10 В, 3 В Новинка

on-semiconductor, ntmfs4934nt1g, mosfet-n-ch-30v-147a-soic-fl,

ON SEMICONDUCTOR NTMFS4934NT1G МОП-транзистор, N Канал, 147 А, 30 В, 0.00152 Ом, 10 В, 1.6 В Новинка

on-semiconductor, mmbfj310lt1g, transistor-jfet-n-25v-sot-23,

ON SEMICONDUCTOR MMBFJ310LT1G ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, -25 В, 24 мА, 60 мА

on-semiconductor, nts4173pt1g, mosfet-p-ch-30v-1-2a-sot-323,

ON SEMICONDUCTOR NTS4173PT1G МОП-транзистор, P Канал, -1.2 А, -30 В, 0.09 Ом, -10 В, -1.15 В