Метка: Силовые

on-semiconductor, 2sa2013-td-e, transistor-pnp-50v-4a-sot-89,

Минск, Обновлено: 3 января 2025г., 00:00

ON SEMICONDUCTOR 2SA2013-TD-E Биполярный транзистор, PNP, -50 В, 400 МГц, 3.5 Вт, -4 А, 200 hFE Новинка

vishay, si7454dp-t1-ge3, n-channel-mosfet-100v-7-8a-soic,

Минск, Обновлено: 3 января 2025г., 00:00

VISHAY SI7454DP-T1-GE3 N CHANNEL MOSFET, 100V, 7.8A, SOIC, FULL REEL

diodes-inc, zhb6718, transistor-array-h-bridge,

Минск, Обновлено: 3 января 2025г., 00:00

DIODES INC. ZHB6718 Массив биполярных транзисторов, NPN, PNP, 20 В, 2 Вт, 2.5 А, 450 hFE, SOT-223

infineon, bar6502vh6327xtsa1, pin-diode-single-30v-0-1a-sc-79,

Минск, Обновлено: 3 января 2025г., 00:00

INFINEON BAR6502VH6327XTSA1 РЧ / PIN-диод, Одиночный, 0.9 Ом, 30 В, SC-79, 2 Вывода, 0.8 пФ

potter-brumfield-te-connectivity, t92p11a22-24, relay-dpdt-277vac-28vdc-40a,

Минск, Обновлено: 3 января 2025г., 00:00

POTTER&BRUMFIELD — TE CONNECTIVITY T92P11A22-24 Универсальное реле, серия T92, силовое, без защелки, DPDT, 24В AC, 40А

nxp, pbss4021nt-215, transistor-bipol-npn-20v-sot-23,

Минск, Обновлено: 3 января 2025г., 00:00

NEXPERIA PBSS4021NT,215 Биполярный транзистор, NPN, 20 В, 165 МГц, 390 мВт, 4.3 А, 100 hFE

diodes-inc, dmn3007lss, mosfet-n-ch-w-diode-30v-16a-so8,

Минск, Обновлено: 3 января 2025г., 00:00

DIODES INC. DMN3007LSS МОП-транзистор, режим обогащения, N Канал, 16 А, 30 В, 0.005 Ом, 10 В, 1.3 В

vishay, egl41g-e3-96, diode-ultra-fast-1a-400v-do213ab,

Минск, Обновлено: 3 января 2025г., 00:00

VISHAY EGL41G-E3/96 Быстрый / ультрабыстрый диод, 400 В, 1 А, Одиночный, 1.25 В, 50 нс, 30 А