Метка: Силовые

fuji-electric, 1mbi3600u4d-120, igbt-module-single-3600a-1200v,

Минск, Обновлено: 28 октября 2024г., 00:00

FUJI ELECTRIC 1MBI3600U4D-120 БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 4.8 кА, 2.22 В, 18.65 кВт, 1.2 кВ, Module

stmicroelectronics, str2550, transistor-bipol-pnp-500v-sot,

Минск, Обновлено: 28 октября 2024г., 00:00

STMICROELECTRONICS STR2550 Биполярный транзистор, PNP, -500 В, 500 мВт, -500 мА, 10 hFE

diodes-inc, mmdt2227-7-f, transistor-npn-sot363,

Минск, Обновлено: 28 октября 2024г., 00:00

DIODES INC. MMDT2227-7-F Биполярный транзистор, NPN, PNP, 40 В, 300 МГц, 200 мВт, 600 мА, 100 hFE

vishay, bym13-40-e3-96, diode-schottky-1a-40v-smd,

Минск, Обновлено: 28 октября 2024г., 00:00

VISHAY BYM13-40-E3/96 Выпрямитель Шоттки, 40 В, 1 А, Одиночный, DO-213AB, 2 вывод(-ов), 500 мВ

international-rectifier, irfr5505trpbf, p-channel-mosfet-55v-18a-d-pak,

Минск, Обновлено: 28 октября 2024г., 00:00

INTERNATIONAL RECTIFIER IRFR5505TRPBF P CHANNEL MOSFET, -55V, 18A, D-PAK

fairchild-semiconductor, fds6680as, mosfet-n-smd-so-8,

Минск, Обновлено: 28 октября 2024г., 00:00

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6680AS МОП-транзистор, N Канал, 11.5 А, 30 В, 10 мОм, 10 В, 1.5 В