Метка: Силовые

infineon, fz1200r45kl3b5nosa1, transistor-igbt-modules,

Минск, Обновлено: 3 января 2025г., 00:00

INFINEON FZ1200R45KL3B5NOSA1 TRANSISTOR, IGBT MODULES Новинка

potter-brumfield-te-connectivity, rte24012f, relay-dpdt-250vac-24vdc-3a,

Минск, Обновлено: 3 января 2025г., 00:00

POTTER&BRUMFIELD — TE CONNECTIVITY RTE24012F Универсальное реле, серии RT2 монтаж на ПП, силовое, без защелки, DPDT

stmicroelectronics, stth112u, diode-fast-1a-1200v-smd-smb,

Минск, Обновлено: 3 января 2025г., 00:00

STMICROELECTRONICS STTH112U Силовой диод быстрого действия, 1.2 кВ, 1 А, Одиночный, 1.65 В, 75 нс, 18 А

fairchild-semiconductor, mb2s, bridge-rectifier-0-5a-200v-smd,

Минск, Обновлено: 3 января 2025г., 00:00

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MB2S Мостовой выпрямитель, Одна, 200 В, 500 мА, SOIC, 1 В, 4 вывод(-ов)

nxp, pmbt2907a-215, transistor-pnp-sot-23,

Минск, Обновлено: 3 января 2025г., 00:00

PMBT2907A,215 Биполярный транзистор, универсальный, PNP, -60 В, 200 МГц, 250 мВт, -600 мА, 100 hFE

nxp, buk661r8-30c, mosfet-n-ch-30v-120a-sot404,

Минск, Обновлено: 3 января 2025г., 00:00

NEXPERIA BUK661R8-30C МОП-транзистор, N Канал, 120 А, 30 В, 1.6 мОм, 10 В, 2.3 В

fairchild-semiconductor, fdp150n10, mosfet-n-ch-100v-57a-to-220,

Минск, Обновлено: 3 января 2025г., 00:00

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDP150N10 МОП-транзистор, N Канал, 57 А, 100 В, 0.012 Ом, 10 В, 2.5 В