Категория: Оптроны транзисторный выход THT Технические характеристики,описание: VISHAY SFH615A-4 Оптрон; THT; Каналы:1; Вых: транзисторный; Uизол:5,3кВ; Uce:70В
Метка: транзисторный
VISHAY,SFH615A-4
SHARP,PC123X2YFZ0F 
Категория: Оптроны транзисторный выход THT Технические характеристики,описание: SHARP PC123X2YFZ0F Оптрон; THT; Каналы:1; Вых: транзисторный; Uизол:5кВ; Uce:70В; DIP4
ISOCOM,MCT6X 
Категория: Оптроны транзисторный выход THT Технические характеристики,описание: ISOCOM MCT6X Оптрон; THT; Каналы:2; Вых: транзисторный; Uизол:5,3кВ; Uce:30В
VISHAY,ILQ1 
Категория: Оптроны транзисторный выход THT Технические характеристики,описание: VISHAY ILQ1 Оптрон; THT; Каналы:4; Вых: транзисторный; Uизол:5,3кВ; Uce:50В
VISHAY,IL250 
Категория: Оптроны транзисторный выход THT Технические характеристики,описание: VISHAY IL250 Оптрон; THT; Каналы:1; Вых: транзисторный; Uизол:5,3кВ; Uce:30В
AVAGO,HCNW4503-000E 
Категория: Оптроны транзисторный выход THT Технические характеристики,описание: AVAGO HCNW4503-000E Оптрон; THT; Каналы:1; Вых: транзисторный; 3,75кВ; CTR@If:19%@16mA
BSM150GT120DN2 Eupec
Модуль транзисторный IGBT BSM150GT120DN2 IGBT модуль EUPEC 150A 1200V Номер в каталоге производителя: BSM150GT120DN2 Производитель: Infineon Technologies Описание: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 150A TRIPACK Категория продукта: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Производитель:InfineonRoHS:НетПродукт:IGBT Silicon ModulesКонфигурация:HexНапряжение коллектор-эмиттер (VCEO), ЧИТАТЬ ДАЛЕЕ
LITEON,CNY17-1S 
Категория: Оптроны транзисторный выход SMD Технические характеристики,описание: LITEON CNY17-1S Оптрон; SMD; Каналы:1; Вых: транзисторный; Uизол:5кВ; Uce:70В Новинка!
AVAGO,HCPL-2530-300E 
Категория: Оптроны транзисторный выход SMD Технические характеристики,описание: AVAGO HCPL-2530-300E Оптрон; SMD; Каналы:1; Вых: транзисторный; 10кВ/мкс; 3,75кВ
ISOCOM,IS126 
Категория: Оптроны транзисторный выход SMD Технические характеристики,описание: ISOCOM IS126 Оптрон; SMD; Каналы:1; Вых: транзисторный; Uизол:3,75кВ; Uce:35В