Метка: UNI/O

MICROCHIP TECHNOLOGY,11AA160-I/SN Запоминающ. уст-ва EEPROM последователь.,MICROCHIP TECHNOLOGY,11AA160-I/SN

Минск, Обновлено: 04 апреля 2025г., 00.05

Категория: Запоминающ. уст-ва EEPROM последователь. Технические характеристики,описание: MICROCHIP TECHNOLOGY 11AA160-I/SN Микросхема памяти; EEPROM; UNI/O; 2048×8бит; 1,8?5,5В; 100кГц; SO8

MICROCHIP TECHNOLOGY,11AA160-I/P Запоминающ. уст-ва EEPROM последователь.,MICROCHIP TECHNOLOGY,11AA160-I/P

Минск, Обновлено: 04 апреля 2025г., 00.05

Категория: Запоминающ. уст-ва EEPROM последователь. Технические характеристики,описание: MICROCHIP TECHNOLOGY 11AA160-I/P Микросхема памяти; EEPROM; UNI/O; 2048×8бит; 1,8?5,5В; 100кГц

MICROCHIP TECHNOLOGY,11AA080-I/P Запоминающ. уст-ва EEPROM последователь.,MICROCHIP TECHNOLOGY,11AA080-I/P

Минск, Обновлено: 04 апреля 2025г., 00.05

Категория: Запоминающ. уст-ва EEPROM последователь. Технические характеристики,описание: MICROCHIP TECHNOLOGY 11AA080-I/P Микросхема памяти; EEPROM; UNI/O; 1024×8бит; 1,8?5,5В; 100кГц

MICROCHIP TECHNOLOGY,11AA080-I/MS Запоминающ. уст-ва EEPROM последователь.,MICROCHIP TECHNOLOGY,11AA080-I/MS

Минск, Обновлено: 04 апреля 2025г., 00.05

Категория: Запоминающ. уст-ва EEPROM последователь. Технические характеристики,описание: MICROCHIP TECHNOLOGY 11AA080-I/MS Микросхема памяти; EEPROM; UNI/O; 1024×8бит; 1,8?5,5В; 100кГц

MICROCHIP TECHNOLOGY,11AA040-I/SN Запоминающ. уст-ва EEPROM последователь.,MICROCHIP TECHNOLOGY,11AA040-I/SN

Минск, Обновлено: 04 апреля 2025г., 00.05

Категория: Запоминающ. уст-ва EEPROM последователь. Технические характеристики,описание: MICROCHIP TECHNOLOGY 11AA040-I/SN Микросхема памяти; EEPROM; UNI/O; 512×8бит; 1,8?5,5В; 100кГц; SO8

MICROCHIP TECHNOLOGY,11AA080-I/SN Запоминающ. уст-ва EEPROM последователь.,MICROCHIP TECHNOLOGY,11AA080-I/SN

Минск, Обновлено: 04 апреля 2025г., 00.05

Категория: Запоминающ. уст-ва EEPROM последователь. Технические характеристики,описание: MICROCHIP TECHNOLOGY 11AA080-I/SN Микросхема памяти; EEPROM; UNI/O; 1024×8бит; 1,8?5,5В; 100кГц; SO8

MICROCHIP TECHNOLOGY,11AA160-I/MS Запоминающ. уст-ва EEPROM последователь.,MICROCHIP TECHNOLOGY,11AA160-I/MS

Минск, Обновлено: 04 апреля 2025г., 00.05

Категория: Запоминающ. уст-ва EEPROM последователь. Технические характеристики,описание: MICROCHIP TECHNOLOGY 11AA160-I/MS Микросхема памяти; EEPROM; UNI/O; 2048×8бит; 1,8?5,5В; 100кГц

MICROCHIP TECHNOLOGY,11AA040-I/P Запоминающ. уст-ва EEPROM последователь.,MICROCHIP TECHNOLOGY,11AA040-I/P

Минск, Обновлено: 04 апреля 2025г., 00.05

Категория: Запоминающ. уст-ва EEPROM последователь. Технические характеристики,описание: MICROCHIP TECHNOLOGY 11AA040-I/P Микросхема памяти; EEPROM; UNI/O; 512×8бит; 1,8?5,5В; 100кГц; DIP8

MICROCHIP TECHNOLOGY,11AA040-I/MS Запоминающ. уст-ва EEPROM последователь.,MICROCHIP TECHNOLOGY,11AA040-I/MS

Минск, Обновлено: 04 апреля 2025г., 00.05

Категория: Запоминающ. уст-ва EEPROM последователь. Технические характеристики,описание: MICROCHIP TECHNOLOGY 11AA040-I/MS Микросхема памяти; EEPROM; UNI/O; 512×8бит; 1,8?5,5В; 100кГц

MICROCHIP TECHNOLOGY,11AA02UID-I/SN Запоминающ. уст-ва EEPROM последователь.,MICROCHIP TECHNOLOGY,11AA02UID-I/SN

Минск, Обновлено: 04 апреля 2025г., 00.05

Категория: Запоминающ. уст-ва EEPROM последователь. Технические характеристики,описание: MICROCHIP TECHNOLOGY 11AA02UID-I/SN Микросхема памяти; EEPROM; UNI/O; 256×8бит; 1,8?5,5В; 100кГц; SO8