BTW69-1200 ST
Рубрика: Электронные компоненты ( радиодетали ) импорт
LT1568IGN
LT1568IGN LTC
vishay, si7852dp-t1-e3, mosfet-n-ch-80v-7-6a-ppso8,
VISHAY SI7852DP-T1-E3 МОП-транзистор, N Канал, 7.6 А, 80 В, 0.0135 Ом, 10 В, 2 В
0,01мкф X7R 500в 10% (1206) Чип.кер.конд SAMSUNG CL31B103KGFNNNE
Производитель: SAMSUNG Описание, Технические характеристики: CL31B103KGFNNNE Аналог:
MPC862TVR66B
MPC862TVR66B FRS
ADN2847ACP-32-RL7
ADN2847ACP-32-RL7 AD
MC7448VU867ND
MC7448VU867ND FRS
SKB30/12A1
SKB30/12A1 SEMIKRON
diodes-inc, zxmp6a13gta, mosfet-p-ch-60v-1-7a-sot223,
DIODES INC. ZXMP6A13GTA МОП-транзистор, режим обогащения, P Канал, -1.7 А, -60 В, 0.39 Ом, -10 В, -1 В
nxp, pbss4220pans, trans-dual-npn-aec-q101-20v-sot1118d,
PBSS4220PANS Массив биполярных транзисторов, Двойной NPN, 20 В, 510 мВт, 2 А, 150 hFE, SOT-1118