vishay, vs-gb75da120up, igbt-module-1200v-75a-sot-227,

VISHAY VS-GB75DA120UP БТИЗ массив и модульный транзистор, NPN, 131 А, 3.3 В, 658 Вт, 1.2 кВ, SOT-227

semisouth, sdp20s120d, diode-dual-sic-1200v-20a-to247,

SEMISOUTH SDP20S120D Карбидокремниевый диод Шоттки, SIC, Двойной Общий Катод, 1.2 кВ, 20 А, 80 нКл, TO-247

infineon, irg7ph46udpbf, igbt-n-ch-diode1200v-40a-to-247ac,

INFINEON IRG7PH46UDPBF БТИЗ транзистор, 108 А, 1.7 В, 390 Вт, 1.2 кВ, TO-247AC, 3 вывод(-ов)

infineon, ff900r12ip4d, igbt-h-b-ntc-1200v-900a-primepa,

INFINEON FF900R12IP4D БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 900 А, 1.7 В, 5.1 кВт, 1.2 кВ, Module

fuji-electric, 2mbi600vxa-120e-50, igbt-module-dual-600a-1200v,

FUJI ELECTRIC 2MBI600VXA-120E-50 БТИЗ массив и модульный транзистор, упаковка из 8, Двойной N Канал, 800 А, 1.85 В, 3.35 кВт, 1.2 кВ

wolfspeed, cas300m12bm2, mosfet-module-1-2kv-panel,

WOLFSPEED CAS300M12BM2 Биполярный транзистор, Двойной N Канал, 404 А, 1.2 кВ, 0.005 Ом, 20 В, 2.3 В

ixys-semiconductor, dsei2x101-12a, diode-fast-182a-sot-227b,

IXYS SEMICONDUCTOR DSEI2X101-12A Модуль диода, 1.2 кВ, 92 А, 1.61 В, Двойной Изолированный, DSEI2 Series

stmicroelectronics, stth212u, diode-ultrafast-2a-1200v,

STMICROELECTRONICS STTH212U Быстрый / ультрабыстрый диод, 1.2 кВ, 2 А, Одиночный, 1.75 В, 75 нс, 40 А

genesic-semiconductor, s150q, diode-rectifier-1200v-150a-do8,

GENESIC SEMICONDUCTOR S150Q Модуль диода, кремниевый, 1.2 кВ, 150 А, 1.2 В, Одиночный, S150Q Series

bourns, 2093-120-sm-rplf, gas-discharge-tube-2p-1200v-20,

BOURNS 2093-120-SM-RPLF Газоразрядная трубка (GDT), высоковольтный, Серия 2093, 1.2 кВ, 2-контактный SMD, 3 кА, 1.8 кВ