VISHAY VS-GB75YF120UT БТИЗ массив и модульный транзистор, NPN, 100 А, 3.8 В, 480 Вт, 1.2 кВ, Module
Метка: -1.2 кВ
semisouth, sdp30s120, diode-sic-1200v-30a-to247,
SEMISOUTH SDP30S120 Карбидокремниевый диод Шоттки, SIC, Одиночный, 1.2 кВ, 30 А, 13 нКл, TO-247
infineon, irg7ph46upbf, igbt-n-ch-1200v-40a-to-247ac,
INFINEON IRG7PH46UPBF БТИЗ транзистор, 130 А, 1.7 В, 469 Вт, 1.2 кВ, TO-247AC, 3 вывод(-ов)
fairchild-semiconductor, fgd5t120sh, igbt-single-n-ch-1-2kv-10a-to,
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FGD5T120SH БТИЗ транзистор, FS траншейного типа, 10 А, 2.9 В, 69 Вт, 1.2 кВ, TO-252, 3 вывод(-ов)
fuji-electric, 6mbi100s-120-50, 6-pack-igbt-module-100a-1200v,
FUJI ELECTRIC 6MBI100S-120-50 БТИЗ массив и модульный транзистор, упаковка из 6, N Канал, 150 А, 2.6 В, 700 Вт, 1.2 кВ, Module
ixys-semiconductor, ixa4if1200tc, igbt-single-1-2kv-9a-to-268aa,
IXYS SEMICONDUCTOR IXA4IF1200TC БТИЗ транзистор, 9 А, 1.8 В, 45 Вт, 1.2 кВ, TO-268AA, 3 вывод(-ов)
infineon, idh08g120c5xksa1, sic-schottky-diode-1-2kv-22-8a,
INFINEON IDH08G120C5XKSA1 Карбидокремниевый диод Шоттки, thinQ Series, Одиночный, 1.2 кВ, 22.8 А, 28 нКл, TO-220 Новинка
stmicroelectronics, stth212s, diode-rectifier-ultrafast-2a-smc,
STMICROELECTRONICS STTH212S Силовой диод быстрого действия, 1.2 кВ, 2 А, Одиночный, 1.75 В, 75 нс, 40 А
genesic-semiconductor, s150qr, diode-rectifier-1200v-150a-do8,
GENESIC SEMICONDUCTOR S150QR Модуль диода, кремниевый, 1.2 кВ, 150 А, 1.2 В, Одиночный, S150Q Series
infineon, irg4ph20kdpbf, igbt-to-247,
INFINEON IRG4PH20KDPBF БТИЗ транзистор, 11 А, 3.17 В, 60 Вт, 1.2 кВ, TO-247AC, 3 вывод(-ов)