INFINEON FP25R12U1T4 БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 25 А, 1.85 В, 190 Вт, 1.2 кВ, Module
Метка: -1.2 кВ
fuji-electric, 6mbi50s-120-50, 6-pack-igbt-module-50a-1200v-npt,
FUJI ELECTRIC 6MBI50S-120-50 БТИЗ транзистор, упаковка из 6, 75 А, 2.65 В, 360 Вт, 1.2 кВ, Module, 17 вывод(-ов)
infineon, fp75r12kt4b15bosa1, igbt-module-n-ch-1-2kv-75a,
INFINEON FP75R12KT4B15BOSA1 БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 75 А, 1.85 В, 385 Вт, 1.2 кВ, Module Новинка
vishay, vs-40tps12-m3, scr-thyristor-55a-1-2kv-to-247ac,
VISHAY VS-40TPS12-M3 Тиристор, 1.2 кВ, 150 мА, 35 А, 55 А, TO-247AC, 3 вывод(-ов) Новинка
vishay, vs-40eps16pbf, diode-standard-40a-1600v,
VISHAY VS-40EPS16PBF Стандартный силовой диод, 1.2 кВ, 40 А, Одиночный, 370 мВ, 475 А
genesic-semiconductor, s70qr, diode-rectifier-1200v-70a-do5,
GENESIC SEMICONDUCTOR S70QR Модуль диода, кремниевый, 1.2 кВ, 70 А, 1.1 В, Одиночный, S70QR Series
infineon, irg4psh71udpbf, igbt-to-274aa,
INFINEON IRG4PSH71UDPBF БТИЗ транзистор, 99 А, 2.7 В, 350 Вт, 1.2 кВ, TO-274AA, 3 вывод(-ов)
ixys-semiconductor, dsep30-12ar, diode-fast-30a-isoplus247,
IXYS SEMICONDUCTOR DSEP30-12AR Силовой диод быстрого действия, 1.2 кВ, 30 А, Одиночный, 2.74 В, 40 нс, 200 А
bourns, 2095-80-blf, gas-discharge-tube-2p-800v-20,
BOURNS 2095-80-BLF Газоразрядная трубка (GDT), высоковольтный, Серия 2095, 800 В, Осевые Выводы, 5 кА, 1.2 кВ
semikron, skm400gb125d, igbt-module-dual-n-ch-1-2kv-400a,
SEMIKRON SKM400GB125D БТИЗ массив и модульный транзистор, Двойной N Канал, 400 А, 3.3 В, 1.2 кВ, Module