semikron, skd51-12, bridge-rectifier-50a-1200v-3ph,

SEMIKRON SKD51/12 Мостовой выпрямитель, Три, 1.2 кВ, 50 А, Модуль, 1.45 В, 5 вывод(-ов)

genesic-semiconductor, s150qr, diode-rectifier-1200v-150a-do8,

GENESIC SEMICONDUCTOR S150QR Модуль диода, кремниевый, 1.2 кВ, 150 А, 1.2 В, Одиночный, S150Q Series

fairchild-semiconductor, isl9r18120s3st, rectifier-fast-18a-1-2kv-to-263ab,

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ISL9R18120S3ST Силовой диод быстрого действия, 1.2 кВ, 18 А, Одиночный, 3.3 В, 70 нс, 200 А

infineon, irg4ph20kdpbf, igbt-to-247,

INFINEON IRG4PH20KDPBF БТИЗ транзистор, 11 А, 3.17 В, 60 Вт, 1.2 кВ, TO-247AC, 3 вывод(-ов)

infineon, fp35r12w2t4, igbt-low-power-1200v-35a-easypim,

INFINEON FP35R12W2T4 БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 35 А, 1.85 В, 215 Вт, 1.2 кВ, Module

wolfspeed, c4d20120a, diode-sic-schottky-1200v-53-5a,

WOLFSPEED C4D20120A Карбидокремниевый диод Шоттки, SIC, Одиночный, 1.2 кВ, 53.5 А, 99 нКл, TO-220

fuji-electric, 7mbr10sa-120-50, igbt-7-pack-mod-1200v-10a-m711,

FUJI ELECTRIC 7MBR10SA-120-50 БТИЗ массив и модульный транзистор, упаковка из 7, N Канал, 10 А, 2.1 В, 75 Вт, 1.2 кВ, Module

fuji-electric, 1mbi2400u4d-120, igbt-module-single-2400a-1200v,

FUJI ELECTRIC 1MBI2400U4D-120 БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 3.6 кА, 2.11 В, 14.7 кВт, 1.2 кВ, Module

infineon, fs100r12kt3bosa1, igbt-module-n-ch-1-2kv-100a,

INFINEON FS100R12KT3BOSA1 БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 100 А, 1.7 В, 480 Вт, 1.2 кВ, Module Новинка

rohm, sct3080kl, mosfet-n-ch-31a-1-2kv-to-247n,

ROHM SCT3080KL Силовой МОП-транзистор, N Канал, 31 А, 1.2 кВ, 0.08 Ом, 18 В, 5.6 В Новинка