IXYS SEMICONDUCTOR IXA17IF1200HJ БТИЗ транзистор, 28 А, 2.1 В, 100 Вт, 1.2 кВ, TO-247AD, 3 вывод(-ов)
Метка: -1.2 кВ
fuji-electric, fgw25n120vd, igbt-single-1-2kv-48a-to-247-3,
FUJI ELECTRIC FGW25N120VD БТИЗ транзистор, 48 А, 1.85 В, 260 Вт, 1.2 кВ, TO-247, 3 вывод(-ов)
fuji-electric, 6mbi10s-120-50, igbt-6-pack-mod-1200v-10a-m623,
FUJI ELECTRIC 6MBI10S-120-50 БТИЗ массив и модульный транзистор, упаковка из 6, N Канал, 10 А, 2.6 В, 75 Вт, 1.2 кВ, Module
fuji-electric, 2mbi150u4a-120-50, igbt-dual-module-150a-1200v,
FUJI ELECTRIC 2MBI150U4A-120-50 БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 200 А, 2.3 В, 735 Вт, 1.2 кВ, Module
infineon, idh20g120c5xksa1, sic-schottky-diode-1-2kv-56a-to,
INFINEON IDH20G120C5XKSA1 Карбидокремниевый диод Шоттки, thinQ Series, Одиночный, 1.2 кВ, 56 А, 82 нКл, TO-220 Новинка
stmicroelectronics, tn3050h-12gy-tr, thyristor-aec-q101-30a-1-2kv-to,
STMICROELECTRONICS TN3050H-12GY-TR Тиристор, 1.2 кВ, 50 мА, 19 А, 30 А, TO-263, 3 вывод(-ов) Новинка
fairchild-semiconductor, s3n, rectifier-standard-3a-1-2kv-do,
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR S3N Стандартный силовой диод, 1.2 кВ, 3 А, Одиночный, 1.2 В, 2.5 мкс, 100 А
infineon, irg4ph50kpbf, igbt-1-2kv-45a-to-247ac-3,
INFINEON IRG4PH50KPBF БТИЗ транзистор, 45 А, 3.28 В, 200 Вт, 1.2 кВ, TO-247AC, 3 вывод(-ов)
wolfspeed, c4d40120d, diode-dual-1200v-2x-20a-to247,
WOLFSPEED C4D40120D Карбидокремниевый диод Шоттки, Двойной Общий Катод, 1.2 кВ, 54 А, 198 нКл, TO-247
fuji-electric, 1mbi3600u4d-120, igbt-module-single-3600a-1200v,
FUJI ELECTRIC 1MBI3600U4D-120 БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 4.8 кА, 2.22 В, 18.65 кВт, 1.2 кВ, Module