FUJI ELECTRIC 1MBI3600U4D-170 БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 4.8 кА, 2.57 В, 18.65 кВт, 1.7 кВ, Module
Метка: 1.7 кВ
fuji-electric, 1mbi2400u4d-170, igbt-module-single-2400a-1700v,
FUJI ELECTRIC 1MBI2400U4D-170 БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 3.6 кА, 2.47 В, 14.7 кВт, 1.7 кВ, Module
wolfspeed, cas300m17bm2, mosfet-dual-n-ch-1-7kv-325a-module,
WOLFSPEED CAS300M17BM2 Биполярный транзистор, Двойной N Канал, 325 А, 1.7 кВ, 0.008 Ом, 20 В, 2.3 В
rohm, sct2h12nzgc11, mosfet-n-ch-1-7kv-3-7a-to-3pfm,
ROHM SCT2H12NZGC11 Силовой МОП-транзистор, карбид кремния (SiC), N Канал, 3.7 А, 1.7 кВ, 1.15 Ом, 18 В, 2.8 В
ixys-semiconductor, ixgr16n170ah1, igbt-isoplus247,
IXYS SEMICONDUCTOR IXGR16N170AH1 БТИЗ транзистор, изолированный, 16 А, 5 В, 120 Вт, 1.7 кВ, TO-247AD, 3 вывод(-ов)
cree, c2m1000170d, mosfet-n-ch-1700v-4-9a-sic-to247,
WOLFSPEED C2M1000170D Силовой МОП-транзистор, N Канал, 4.9 А, 1.7 кВ, 0.95 Ом, 20 В, 2.4 В
semikron, skm600ga176d, igbt-module-n-ch-1-7kv-660a,
SEMIKRON SKM600GA176D БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 660 А, 2 В, 1.7 кВ, Module
infineon, ff300r17ke4hosa1, igbt-module-dual-npn-1-95v-440a,
INFINEON FF300R17KE4HOSA1 БТИЗ массив и модульный транзистор, Двойной NPN, 440 А, 1.95 В, 1.8 кВт, 1.7 кВ, Module