ixys-semiconductor, ixgr16n170ah1, igbt-isoplus247,

IXYS SEMICONDUCTOR IXGR16N170AH1 БТИЗ транзистор, изолированный, 16 А, 5 В, 120 Вт, 1.7 кВ, TO-247AD, 3 вывод(-ов)

cree, c2m1000170d, mosfet-n-ch-1700v-4-9a-sic-to247,

WOLFSPEED C2M1000170D Силовой МОП-транзистор, N Канал, 4.9 А, 1.7 кВ, 0.95 Ом, 20 В, 2.4 В

semikron, skm600ga176d, igbt-module-n-ch-1-7kv-660a,

SEMIKRON SKM600GA176D БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 660 А, 2 В, 1.7 кВ, Module

infineon, ff300r17ke4hosa1, igbt-module-dual-npn-1-95v-440a,

INFINEON FF300R17KE4HOSA1 БТИЗ массив и модульный транзистор, Двойной NPN, 440 А, 1.95 В, 1.8 кВт, 1.7 кВ, Module

semikron, skm400gb176d, igbt-module-dual-1700v-430a,

SEMIKRON SKM400GB176D БТИЗ массив и модульный транзистор, Двойной NPN, 430 А, 2 В, 1.7 кВ, SEMITRANS 3

infineon, fz2400r17hp4-b9, igbt-one-switch-1700v-2400a,

INFINEON FZ2400R17HP4_B9 БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 2400 А, 1.9 В, 15.5 кВт, 1.7 кВ, Module

ixys-semiconductor, ixgr32n170ah1, igbt-isoplus247,

IXYS SEMICONDUCTOR IXGR32N170AH1 БТИЗ транзистор, 26 А, 5.2 В, 200 Вт, 1.7 кВ, ISOPLUS-247, 3 вывод(-ов)

infineon, ff150r17ke4hosa1, igbt-module-dual-npn-1-95v-150a,

INFINEON FF150R17KE4HOSA1 БТИЗ массив и модульный транзистор, Двойной NPN, 250 А, 1.95 В, 1.1 кВт, 1.7 кВ, Module

infineon, ff450r17ie4, igbt-h-b-ntc-1700v-450a-primepa,

INFINEON FF450R17IE4 БТИЗ массив и модульный транзистор, PrimePACK™2, N Канал, 450 А, 2 В, 900 Вт, 1.7 кВ, Module

infineon, ff200r17ke4hosa1, igbt-module-dual-npn-1-95v-310a,

INFINEON FF200R17KE4HOSA1 БТИЗ массив и модульный транзистор, Двойной NPN, 310 А, 1.95 В, 1.25 кВт, 1.7 кВ, Module