INFINEON DPS310XTSA1 Датчик Давления, Барометрический, 17.404 фунт-сила/кв. дюйм, 4.351 фунт-сила/кв. дюйм, 1.7 В, 3.6 В Новинка
Метка: 1.7 В
nxp, buk962r1-40e, mosfet-n-ch-40v-120a-d2pak,
NEXPERIA BUK962R1-40E МОП-транзистор, N Канал, 120 А, 40 В, 1700 мкОм, 5 В, 1.7 В
multicomp, uf1k, diode-ultra-fast-1a-800v,
MULTICOMP UF1K Силовой диод быстрого действия, 800 В, 1 А, Одиночный, 1.7 В, 75 нс, 30 А
rohm, rfuh10ns4sfhtl, rectifier-aec-q101-10a-430v-to,
ROHM RFUH10NS4SFHTL Быстрый / ультрабыстрый диод, AEC-Q101, 430 В, 10 А, Одиночный, 1.7 В, 25 нс, 80 А
nxp, psmn1r8-30bl, mosfet-n-ch-30v-100a-d2pak,
NEXPERIA PSMN1R8-30BL МОП-транзистор, N Канал, 100 А, 30 В, 0.00155 Ом, 10 В, 1.7 В
fairchild-semiconductor, nds0610, mosfet-p-sot-23-full-reel,
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR NDS0610 МОП-транзистор, P Канал, -120 мА, -60 В, 10 Ом, -10 В, -1.7 В
infineon, irgp4263pbf, igbt-single-650v-90a-to-247ac,
INFINEON IRGP4263PBF БТИЗ транзистор, 90 А, 1.7 В, 300 Вт, 650 В, TO-247AC, 3 вывод(-ов)
multicomp, her307g, diode-fast-3a-800v,
MULTICOMP HER307G Силовой диод быстрого действия, 800 В, 3 А, Одиночный, 1.7 В, 75 нс, 125 А
fairchild-semiconductor, fdfs6n754, mosfet-n-so-8,
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDFS6N754 МОП-транзистор, N Канал, 4 А, 30 В, 56 мОм, 10 В, 1.7 В
fairchild-semiconductor, bss123, mosfet-n-100v-sot-23,
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BSS123 МОП-транзистор, N Канал, 170 мА, 100 В, 1.2 Ом, 10 В, 1.7 В