ON SEMICONDUCTOR NGTB20N120IHLWG БТИЗ транзистор, 40 А, 1.8 В, 192 Вт, 1.2 кВ, TO-247, 3 вывод(-ов)
Метка: 1.8 В
infineon, irfh8318tr2pbf, mosfet-n-ch-w-diode-30v-50a-pqfn56,
INFINEON IRFH8318TR2PBF МОП-транзистор, N Канал, 50 А, 30 В, 0.0025 Ом, 10 В, 1.8 В
infineon, irf6728mtr1pbf, mosfet-n-ch-30v-23a-directfet,
INFINEON IRF6728MTR1PBF МОП-транзистор, N Канал, 140 А, 30 В, 0.0018 Ом, 10 В, 1.8 В
broadcom-limited, hlmp-1719, led-3mm-yellow-2-1mcd-585nm,
BROADCOM LIMITED HLMP-1719 Светодиод, Желтый, Сквозное Отверстие, T-1 (3мм), 2 мА, 1.8 В, 585 нм
fairchild-semiconductor, fdms3602s, mosfet-nn-ch-asymmetric-25v-power56,
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMS3602S Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 30 А, 25 В, 0.0044 Ом, 10 В, 1.8 В
broadcom-limited, hlmp-1719-a00a2, led-3mm-50deg-yellow,
BROADCOM LIMITED HLMP-1719-A00A2 Светодиод, Желтый, Сквозное Отверстие, T-1 (3мм), 2 мА, 1.8 В, 583 нм
ixys-semiconductor, dsei60-06a, diode-fast-60a,
IXYS SEMICONDUCTOR DSEI60-06A Силовой диод быстрого действия, 600 В, 60 А, Одиночный, 1.8 В, 35 нс, 550 А
kingbright, kptd-1608lvseck-j3-pf, led-red-50mcd-625nm-smd,
KINGBRIGHT KPTD-1608LVSECK-J3-PF Светодиод, 1.6мм x 0.8мм, Красный, SMD (Поверхностный Монтаж), 2 мА, 1.8 В, 625 нм
nxp, mpr083ej, controller-proximity-sensor-16tssop,
NXP MPR083EJ Емкостный сенсорный датчик, I2C, 1.8 В, 3.6 В, TSSOP, 16 вывод(-ов), -40 °C
measurement-specialties, ms561101ba03-50, pressure-sensor-10-1200mbar-qfn,
SENSOR SOLUTIONS — TE CONNECTIVITY MS561101BA03-50 Датчик Давления, Барометрический, 10 мбар, 1.2 бар, 1.8 В, 3.6 В