IXYS SEMICONDUCTOR IXFH36N60P Силовой МОП-транзистор, N Канал, 36 А, 600 В, 190 мОм, 10 В, 5 В
Метка: 190 мОм
ixys-semiconductor, ixfk44n80p, mosfet-n-to-264,
IXYS SEMICONDUCTOR IXFK44N80P Силовой МОП-транзистор, N Канал, 44 А, 800 В, 190 мОм, 10 В, 5 В
toshiba, tk20a60t-q, mosfet-n-ch-20a-600v-to220,
TOSHIBA TK20A60T(Q) Силовой МОП-транзистор, N Канал, 20 А, 600 В, 190 мОм, 10 В, 5 В
infineon, spp20n60s5, mosfet-n-to-220,
INFINEON SPP20N60S5 Силовой МОП-транзистор, N Канал, 20 А, 600 В, 190 мОм, 10 В, 4.5 В
infineon, spp20n60c3hksa1, mosfet-n-coolmos-650v-20-7v-to,
INFINEON SPP20N60C3HKSA1 Силовой МОП-транзистор, N Канал, 20.7 А, 650 В, 190 мОм, 10 В, 3 В
infineon, spb20n60c3atma1, mosfet-n-coolmos-d2-pak,
INFINEON SPB20N60C3ATMA1 Силовой МОП-транзистор, N Канал, 20.7 А, 650 В, 190 мОм, 10 В, 3 В
ixys-semiconductor, ixft36n60p, mosfet-n-to-268,
IXYS SEMICONDUCTOR IXFT36N60P Силовой МОП-транзистор, PolarFET, N Канал, 36 А, 600 В, 190 мОм, 10 В, 5 В
fairchild-semiconductor, fdg316p, mosfet-p-ch-30v-1-6a-sc70-6,
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDG316P МОП-транзистор, P Канал, 1.6 А, -30 В, 190 мОм, -10 В, -1.6 В