VISHAY VS-GB200TS60NPBF БТИЗ массив и модульный транзистор, NPN, 209 А, 2.6 В, 781 Вт, 600 В, INT-A-PAK
Метка: 2.6 В
on-semiconductor, mch6444-tl-w, mosfet-n-ch-35v-2-5a-sc-88-6,
ON SEMICONDUCTOR MCH6444-TL-W МОП-транзистор, N Канал, 2.5 А, 35 В, 0.075 Ом, 10 В, 2.6 В
multicomp, 703-0105, led-yellow-0805-standard,
MULTICOMP 703-0105 Светодиод, Желтый, SMD (Поверхностный Монтаж), 20 мА, 2.6 В, 590 нм
vishay, vs-gb100ts60npbf, igbt-module-600v-108a-int-a-pak,
VISHAY VS-GB100TS60NPBF БТИЗ массив и модульный транзистор, NPN, 108 А, 2.6 В, 390 Вт, 600 В, INT-A-PAK
on-semiconductor, mch6344-tl-w, mosfet-p-ch-30v-2a-sc-88-6,
ON SEMICONDUCTOR MCH6344-TL-W МОП-транзистор, P Канал, -2 А, -30 В, 0.115 Ом, -10 В, -2.6 В
broadcom-limited, asmt-uab4-yu8e2, led-amber-1-4cd-590nm-plcc-2,
BROADCOM LIMITED ASMT-UAB4-YU8E2 Светодиод, Янтарный, SMD (Поверхностный Монтаж), 20 мА, 2.6 В, 590 нм
analog-devices, ad7143acpz-1500rl7, programmable-ctrl-cap-touch-lfcsp,
ANALOG DEVICES AD7143ACPZ-1500RL7 Емкостный сенсорный датчик, I2C, 2.6 В, 3.6 В, LFCSP, 16 вывод(-ов)
on-semiconductor, vec2616-tl-w, mosfet-complement-n-p-60v-3a-vec,
ON SEMICONDUCTOR VEC2616-TL-W Двойной МОП-транзистор, N и P Дополнение, 3 А, 60 В, 0.062 Ом, 10 В, 2.6 В
on-semiconductor, mch6331-tl-w, mosfet-p-ch-30v-3-5a-sc-88-6,
ON SEMICONDUCTOR MCH6331-TL-W МОП-транзистор, P Канал, -3.5 А, -30 В, 0.075 Ом, -10 В, -2.6 В
texas-instruments, csd19501kcs, mosfet-n-channel-80v-100a-to-220,
TEXAS INSTRUMENTS CSD19501KCS МОП-транзистор, NexFET™, N Канал, 100 А, 80 В, 0.0055 Ом, 10 В, 2.6 В