on-semiconductor, ntjd4152pt1g, mosfet-dual-p-ch-20v-0-88a-sot,

ON SEMICONDUCTOR NTJD4152PT1G Двойной МОП-транзистор, Двойной P Канал, -880 мА, -20 В, 0.215 Ом, -4.5 В, -1.2 В

panasonic-electronic-components, mtm761230lbf, mosfet-p-ch-20v-wsmini6-f1-b,

PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS MTM761230LBF МОП-транзистор, P Канал, -3 А, -20 В, 0.036 Ом, -4 В, -850 мВ

c-k-components, gp12msabe, switch-push-spdt-no-0-4va-20v,

C & K COMPONENTS GP12MSABE Кнопочный переключатель, Вкл.-(Вкл.), SPDT, 20 В, 20 В, SMD (Поверхностный Монтаж)

wurth-elektronik, 82550200, smd-varistor-power-0805-20vrms,

WURTH ELEKTRONIK 82550200 TVS-варистор, 20 В, 26 В, Серия WE-VS, 54 В, 0805 [2012 Метрический], Защитное Устройство от ЭСР

infineon, irlhs6242trpbf, mosfet-n-ch-20v-22a-pqfn-8,

INFINEON IRLHS6242TRPBF МОП-транзистор, N Канал, 22 А, 20 В, 0.0094 Ом, 4.5 В, 800 мВ

infineon, irf7317trpbf, mosfet-n-p-ch-20v-6-6a-soic-8,

INFINEON IRF7317TRPBF Двойной МОП-транзистор, N и P Канал, 6.6 А, 20 В, 0.023 Ом, 4.5 В, 700 мВ

broadcom-limited, hsms-2812-tr1g, diode-rf-schottky-dual-sot-23,

BROADCOM LIMITED HSMS-2812-TR1G РЧ диод Шоттки, барьер, Двойной Последовательный, 20 В, 1 мА, 410 мВ, 1.2 пФ, SOT-23

fairchild-semiconductor, fds9933a, mosfet-dual-p-smd-8-soic,

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS9933A Двойной МОП-транзистор, Двойной P Канал, -3.8 А, -20 В, 75 мОм, -4.5 В, -800 мВ

fairchild-semiconductor, fdme1023pzt, mosfet-pp-ch-20v-2-6a-mfet1-6×1,

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDME1023PZT Двойной МОП-транзистор, Двойной P Канал, -2.6 А, -20 В, 0.095 Ом, -4.5 В, -600 мВ

fairchild-semiconductor, fdc640p, mosfet-p-ch-20v-4-5a-supersot,

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC640P МОП-транзистор, P Канал, -4.5 А, -20 В, 0.039 Ом, -4.5 В, -1 В