on-semiconductor, smf05t1g, diode-esd-protection-5v-sot-323,

ON SEMICONDUCTOR SMF05T1G Защитное устройство от ЭСР, четверной, 12.5 В, SOT-323, 5 вывод(-ов), 5 В, 200 Вт

toshiba, gt25q102, igbt-1200v-to-3p-lh,

TOSHIBA GT25Q102 БТИЗ транзистор, 25 А, 2.7 В, 200 Вт, 1.2 кВ, TO-3P, 3 вывод(-ов)

vishay, smf33a-gs08, esd-protection-diode-53-3v-smf,

VISHAY SMF33A-GS08 Защитное устройство от ЭСР, 53.3 В, SMD, 2 вывод(-ов), 200 Вт

infineon, fp40r12ke3, igbt-module-1200v-econopim,

INFINEON FP40R12KE3 БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 55 А, 2.3 В, 200 Вт, 1.2 кВ, EconoPIM

stmicroelectronics, esda6v1u1rl, diode-esd-arr-6-1v-uni-8-soic,

STMICROELECTRONICS ESDA6V1U1RL Защитное устройство от ЭСР, SOIC, 8 вывод(-ов), 6.1 В, 200 Вт

on-semiconductor, nup2115lt1g, diode-esd-protection-24v-sot-23,

ON SEMICONDUCTOR NUP2115LT1G Защитное устройство от ЭСР, FlexRay, 50 В, SOT-23, 3 вывод(-ов), 24 В, 200 Вт

allegro-sanken, 2sa1295, trans-pnp-hfe50-100,

ALLEGRO SANKEN 2SA1295 Биполярный транзистор, PNP, 230 В, 35 МГц, 200 Вт, 17 А, 50 hFE

stmicroelectronics, mj802, transistor-npn-to-3,

STMICROELECTRONICS MJ802 Биполярный транзистор, NPN, 90 В, 2 МГц, 200 Вт, 30 А, 100 hFE

magnatec, 2n5883, transistor-pnp-to-3,

MAGNATEC 2N5883 Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 200 Вт, 25 А, 35 hFE