ON SEMICONDUCTOR NTMFS5C410NT1G МОП-транзистор, N Канал, 300 А, 40 В, 0.00076 Ом, 10 В, 3.5 В Новинка
Метка: 300 А
infineon, f3l300r07pe4bosa1, igbt-module-n-ch-650v-300a,
INFINEON F3L300R07PE4BOSA1 БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 300 А, 1.55 В, 940 Вт, 650 В, Module Новинка
crompton-te-connectivity, 863-92mg-rxef, shunt-300a-60mv,
CROMPTON — TE CONNECTIVITY 863-92MG-RXEF Токовый Шунт, DIN 43703, 60мВ, 300 А, 0.5 %, -20 °C, 60 °C, 860 Series
ixys-semiconductor, dsi30-08a, diode-standard-30a-800v-to220ab,
IXYS SEMICONDUCTOR DSI30-08A Стандартный силовой диод, лавинный, 800 В, 30 А, Одиночный, 1.25 В, 300 А
hobut, shb300a75-class-1, shunt-75mv-300a,
HOBUT SHB300A75-CLASS 1 Токовый Шунт, латунные наконечники, 75мВ, 300 А, 1 %, -20 °C, 40 °C, SHB Series
mospec, u30d20a, diode-ultrafast-30a-to-247,
MOSPEC U30D20A Быстрый / ультрабыстрый диод, 200 В, 15 А, Двойной Общий Анод, 975 мВ, 35 нс, 300 А
infineon, ipt007n06natma1, mosfet-n-ch-60v-300a-hsof-8,
INFINEON IPT007N06NATMA1 МОП-транзистор, N Канал, 300 А, 60 В, 0.00066 Ом, 10 В, 2.8 В
fuji-electric, 2mbi300u2b-060-50, igbt-dual-module-300a-600v-npt,
FUJI ELECTRIC 2MBI300U2B-060-50 БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 300 А, 2.45 В, 1 кВт, 600 В, Module
infineon, ipt004n03latma1, mosfet-n-ch-30v-300a-pg-hsof-8,
INFINEON IPT004N03LATMA1 МОП-транзистор, N Канал, 300 А, 30 В, 0.00037 Ом, 10 В, 2.2 В
nxp, psmn0r9-25yld, mosfet-n-ch-25v-300a-sot-669-4,
NEXPERIA PSMN0R9-25YLD МОП-транзистор, NextPowerS3, N Канал, 300 А, 25 В, 0.00072 Ом, 10 В, 1.73 В