DIODES INC. ZXMN2F30FHTA МОП-транзистор, низковольтный, N Канал, 4.9 А, 20 В, 45 мОм, 4.5 В, 900 мВ
Метка: -4.9 А
infineon, auirf7316q, mosfet-pp-ch-30v-4-9a-so8,
INFINEON AUIRF7316Q Двойной МОП-транзистор, Двойной P Канал, -4.9 А, -30 В, 0.042 Ом, -10 В, -1 В
taiwan-semiconductor, tsm2314cx, mosfet-n-ch-20v-4-9a-sot23,
TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM2314CX МОП-транзистор, N Канал, 4.9 А, 20 В, 0.027 Ом, 4.5 В, 850 мВ
vishay, si4532ady-t1-e3, mosfet-dual-np-so-8,
VISHAY SI4532ADY-T1-E3 Двойной МОП-транзистор, N и P Канал, 4.9 А, 30 В, 0.044 Ом, 10 В, 1 В
taiwan-semiconductor, tsm2312cx, mosfet-n-ch-20v-4-9a-sot23,
TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM2312CX МОП-транзистор, N Канал, 4.9 А, 20 В, 0.027 Ом, 4.5 В, 650 мВ
cree, c2m1000170d, mosfet-n-ch-1700v-4-9a-sic-to247,
WOLFSPEED C2M1000170D Силовой МОП-транзистор, N Канал, 4.9 А, 1.7 кВ, 0.95 Ом, 20 В, 2.4 В
vishay, si4532ady-t1-e3, mosfet-dual-np-so-8,
VISHAY SI4532ADY-T1-E3 Двойной МОП-транзистор, N и P Канал, 4.9 А, 30 В, 0.044 Ом, 10 В, 1 В
vishay, si2334ds-t1-ge3, mosfet-n-ch-30v-4-9a-diode-sot23,
VISHAY SI2334DS-T1-GE3 МОП-транзистор, N Канал, 4.9 А, 30 В, 0.035 Ом, 4.5 В, 400 мВ
vishay, si2314eds-t1-e3, mosfet-n-to-236,
VISHAY SI2314EDS-T1-E3 МОП-транзистор, N Канал, 4.9 А, 20 В, 33 мОм, 4.5 В, 950 мВ
vishay, si2314eds-t1-e3, mosfet-n-to-236,
VISHAY SI2314EDS-T1-E3 МОП-транзистор, N Канал, 4.9 А, 20 В, 33 мОм, 4.5 В, 950 мВ