VISHAY SIA461DJ-T1-GE3 МОП-транзистор, P Канал, -12 А, -20 В, 0.025 Ом, -4.5 В, -400 мВ
Метка: -400 мВ
vishay, si1922edh-t1-ge3, mosfet-nn-ch-20v-1-3a-sot363,
VISHAY SI1922EDH-T1-GE3 Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 1.3 А, 20 В, 0.165 Ом, 4.5 В, 400 мВ
vishay, bat54s, diode-schottky-0-2a-30v-sot-23,
VISHAY BAT54S-E3-08 Диод Шоттки малого сигнала, Двойной Последовательный, 30 В, 200 мА, 400 мВ, 600 мА, 125 °C
vishay, si2323cds-t1-ge3, mosfet-p-ch-20v-6a-sot-23,
VISHAY SI2323CDS-T1-GE3 МОП-транзистор, P Канал, -6 А, -20 В, 0.032 Ом, -4.5 В, -400 мВ
vishay, sia448dj-t1-ge3, mosfet-n-ch-20v-sc70-6l,
VISHAY SIA448DJ-T1-GE3 МОП-транзистор, N Канал, 12 А, 20 В, 0.0125 Ом, 4.5 В, 400 мВ
vishay, si2301cds-t1-ge3, mosfet-p-ch-20v-3-1a-sot23,
VISHAY SI2301CDS-T1-GE3 МОП-транзистор, P Канал, -3.1 А, -20 В, 90 мОм, -4.5 В, -400 мВ
on-semiconductor, bat54slt1g, diode-signal-30v-sot-23,
ON SEMICONDUCTOR BAT54SLT1G Диод Шоттки малого сигнала, Двойной Последовательный, 30 В, 200 мА, 400 мВ, 600 мА, 150 °C
vishay, si1922edh-t1-ge3, mosfet-nn-ch-20v-1-3a-sot363,
VISHAY SI1922EDH-T1-GE3 Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 1.3 А, 20 В, 0.165 Ом, 4.5 В, 400 мВ
vishay, sia437dj-t1-ge3, mosfet-p-ch-20v-29-7a-powerpaksc70,
VISHAY SIA437DJ-T1-GE3 МОП-транзистор, P Канал, -29.7 А, -20 В, 0.012 Ом, -4.5 В, -400 мВ
vishay, si1424edh-t1-ge3, mosfet-n-ch-w-d-20v-4a-sot363,
VISHAY SI1424EDH-T1-GE3 МОП-транзистор, N Канал, 4 А, 20 В, 0.027 Ом, 4.5 В, 400 мВ