ON SEMICONDUCTOR NTB5605PT4G МОП-транзистор, P Канал, -18.5 А, -60 В, 0.12 Ом, -5 В, -1.5 В
Метка: 5 В
bourns, cg0603mlc-05le, esd-suppressor-0603-5v-0-5pf,
BOURNS CG0603MLC-05LE Защитное устройство от ЭСР, AEC-Q101, 25 В, 0603, 2 вывод(-ов), 5 В
panasonic-electronic-components, ese18r12b, detector-switch-spst-0-3n,
PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS ESE18R12B Переключатель обнаружения, SPST-NO, SMD (Поверхностный Монтаж), 10 мА, 5 В, 1.2 мм
ixys-semiconductor, ixfr80n50p, mosfet-n-isoplus247,
IXYS SEMICONDUCTOR IXFR80N50P МОП-транзистор, N Канал, 45 А, 500 В, 72 мОм, 10 В, 5 В
multicomp, mcfte-3c-v, switch-micro-detect-smd,
MULTICOMP MCFTE-3C-V Переключатель обнаружения, Серия MCFTE, SPST-NC, Пайка, 1 мА, 5 В, 2 мм
panasonic-electronic-components, ese18r12c, detector-switch-spst-0-3n,
PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS ESE18R12C Переключатель обнаружения, SPST-NO, SMD (Поверхностный Монтаж), 10 мА, 5 В, 1.2 мм
fairchild-semiconductor, fqp6n80, mosfet-n-to-220,
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQP6N80 Силовой МОП-транзистор, N Канал, 5.8 А, 800 В, 1.95 Ом, 10 В, 5 В
fairchild-semiconductor, fdb44n25tm, mosfet-n-ch-250v-44a-to-263ab,
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB44N25TM МОП-транзистор, N Канал, 44 А, 250 В, 0.058 Ом, 10 В, 5 В
c-k-components, sda04h1sbd, switch-dip-top-slide-4pos,
C & K COMPONENTS SDA04H1SBD DIP / SIP переключатель, 4 схем(-а), SPST, SMD (Поверхностный Монтаж), DIP, 5 В
vishay, vtvs5v0ashm3-08, tvs-diode-aec-q101-400w-5v-do,
VISHAY VTVS5V0ASMF-HM3-08 TVS-диод, TRANSZORB VTVS Series, Однонаправленный, 5 В, 8.9 В, DO-219AB, 2 вывод(-ов) Новинка