VISHAY SI4403BDY-T1-GE3 МОП-транзистор, P Канал, -7.3 А, -20 В, 14 мОм, -4.5 В, -450 мВ
Метка: 7.3 А
vishay, si4403bdy-t1-ge3, mosfet-p-ch-20v-7-3a-8soic,
VISHAY SI4403BDY-T1-GE3 МОП-транзистор, P Канал, -7.3 А, -20 В, 14 мОм, -4.5 В, -450 мВ
nxp, pmcm6501vne, mosfet-n-ch-12v-7-3a-wlcsp-6,
PMCM6501VNE МОП-транзистор, траншейного типа, N Канал, 7.3 А, 12 В, 0.015 Ом, 4.5 В, 600 мВ
fairchild-semiconductor, ndt456p, mosfet-p-logic-sot-223,
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR NDT456P МОП-транзистор, P Канал, 7.3 А, -30 В, 0.026 Ом, -10 В, 1.5 В
infineon, irf7389trpbf, mosfet-n-p-ch-30v-7-3a-soic-8,
INFINEON IRF7389TRPBF Двойной МОП-транзистор, N и P Канал, 7.3 А, 30 В, 0.023 Ом, 10 В, 1 В
infineon, ipd65r600e6atma1, mosfet-n-ch-700v-7-3a-to-252-3,
INFINEON IPD65R600E6ATMA1 Силовой МОП-транзистор, N Канал, 7.3 А, 700 В, 0.54 Ом, 10 В, 3 В
infineon, ipd65r600e6atma1, mosfet-n-ch-700v-7-3a-to-252-3,
INFINEON IPD65R600E6ATMA1 Силовой МОП-транзистор, N Канал, 7.3 А, 700 В, 0.54 Ом, 10 В, 3 В
fairchild-semiconductor, fqb7p20tm-f085, mosfet-p-ch-200v-7-3a-to-263-3,
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQB7P20TM_F085 МОП-транзистор, P Канал, -7.3 А, -200 В, 0.54 Ом, -10 В, -3 В
fairchild-semiconductor, fqb7p20tm-f085, mosfet-p-ch-200v-7-3a-to-263-3,
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQB7P20TM_F085 МОП-транзистор, P Канал, -7.3 А, -200 В, 0.54 Ом, -10 В, -3 В
diodes-inc, dmg4435sss-13, mosfet-p-ch-30v-soic-8,
DIODES INC. DMG4435SSS-13 МОП-транзистор, P Канал, -7.3 А, -30 В, 0.013 Ом, -20 В, -1.7 В