FUJI ELECTRIC 7MBP75TEA-120-50 БТИЗ транзистор, 75 А, 2.2 В, 368 Вт, 1.2 кВ, Module, 25 вывод(-ов)
Метка: fuji-electric
fuji-electric, vla517-01r, single-igbt-gate-driver-4a-peak,
FUJI ELECTRIC VLA517-01R БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 4 А, SIP
fuji-electric, 2mbi400u4h-120-50, igbt-2-pack-mod-1200v-400a-m234,
FUJI ELECTRIC 2MBI400U4H-120-50 БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 400 А, 2.05 В, 2.045 кВт, 1.2 кВ, Module
fuji-electric, fmw79n60s1hf, mosfet-n-ch-600v-68a-to-247-3,
FUJI ELECTRIC FMW79N60S1HF Силовой МОП-транзистор, N Канал, 68 А, 600 В, 0.034 Ом, 10 В, 3 В
fuji-electric, 1mbi3600u4d-170, igbt-module-single-3600a-1700v,
FUJI ELECTRIC 1MBI3600U4D-170 БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 4.8 кА, 2.57 В, 18.65 кВт, 1.7 кВ, Module
fuji-electric, 7mbr30sa-060-50, igbt-7-pack-mod-600v-30a-m711,
FUJI ELECTRIC 7MBR30SA-060-50 БТИЗ массив и модульный транзистор, упаковка из 7, N Канал, 30 А, 1.8 В, 120 Вт, 600 В, Module
fuji-electric, 2mbi400u2b-060-50, igbt-dual-module-400a-600v-npt,
FUJI ELECTRIC 2MBI400U2B-060-50 БТИЗ массив и модульный транзистор, упаковка из 2, N Канал, 400 А, 2.55 В, 1.25 кВт, 600 В, Module
fuji-electric, fmw47n60s1hf, mosfet-n-ch-600v-47a-to-247-3,
FUJI ELECTRIC FMW47N60S1HF Силовой МОП-транзистор, N Канал, 47 А, 600 В, 0.059 Ом, 10 В, 3 В
fuji-electric, 1mbi3600u4d-120, igbt-module-single-3600a-1200v,
FUJI ELECTRIC 1MBI3600U4D-120 БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 4.8 кА, 2.22 В, 18.65 кВт, 1.2 кВ, Module
fuji-electric, 7mbr10sa-120-50, igbt-7-pack-mod-1200v-10a-m711,
FUJI ELECTRIC 7MBR10SA-120-50 БТИЗ массив и модульный транзистор, упаковка из 7, N Канал, 10 А, 2.1 В, 75 Вт, 1.2 кВ, Module