Метка: hgt1s10n120bnst

fairchild-semiconductor, hgt1s10n120bnst, igbt-single-1-2kv-35a-to-263ab,

Минск, Обновлено: 22 апреля 2024г., 00:00

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR HGT1S10N120BNST БТИЗ транзистор, 35 А, 2.45 В, 298 Вт, 1.2 кВ, TO-263AB, 3 вывод(-ов)