IXYS SEMICONDUCTOR IXGR60N60C2D1 БТИЗ транзистор, изолированный, 75 А, 2.7 В, 250 Вт, 600 В, TO-247AD, 3 вывод(-ов)
Метка: ixys-semiconductor
ixys-semiconductor, ixtk60n50l2, mosfet-n-ch-500v-53a-to-264,
IXYS SEMICONDUCTOR IXTK60N50L2 МОП-транзистор, LINEAR L2™, N Канал, 60 А, 500 В, 100 мОм, 10 В, 2.5 В
ixys-semiconductor, ixgp30n120b3, igbt-1200v-30a-to-220,
IXYS SEMICONDUCTOR IXGP30N120B3 БТИЗ транзистор, 60 А, 3.5 В, 300 Вт, 1.2 кВ, TO-220, 3 вывод(-ов)
ixys-semiconductor, ixfn26n90, mosfet-n-sot-227b,
IXYS SEMICONDUCTOR IXFN26N90 Силовой МОП-транзистор, N Канал, 26 А, 900 В, 300 мОм, 10 В, 5 В
ixys-semiconductor, ixfh30n50, mosfet-n-to-247,
полупроводники — дискректные
ixys-semiconductor, dsa50c100hb, diode-schottky-to-247ad,
IXYS SEMICONDUCTOR DSA50C100HB Диод Шоттки малого сигнала, Двойной Общий Катод, 100 В, 25 А, 720 мВ, 230 А, 175 °C
ixys-semiconductor, dhg40c600hb, diode-fast-600v-to-247ad,
IXYS SEMICONDUCTOR DHG40C600HB Силовой диод быстрого действия, 600 В, 20 А, Двойной Общий Катод, 2.31 В, 35 нс, 150 А
ixys-semiconductor, dsec16-12a, diode-fast-20a-to-220ab,
IXYS SEMICONDUCTOR DSEC16-12A Модуль диода, эпитаксиальный диод (HiPerFRED ), 1.2 кВ, 10 А, 1.96 В, 1 Пара с Общим Катодом
ixys-semiconductor, dsei120-12a, diode-fast-109a-to-247,
IXYS SEMICONDUCTOR DSEI120-12A Модуль диода, 1.2 кВ, 109 А, 1.55 В, Одиночный, DSEI1 Series
ixys-semiconductor, vbo40-12no6, bridge-rectifier-40a-1200v,
IXYS SEMICONDUCTOR VBO40-12NO6 Мостовой выпрямитель, Одна, 1.2 кВ, 40 А, SOT-227B, 1.15 В, 4 вывод(-ов)