IXYS SEMICONDUCTOR IXTH30N50L2 МОП-транзистор, LINEAR L2™, N Канал, 30 А, 500 В, 200 мОм, 10 В, 2.5 В
Метка: ixys-semiconductor
ixys-semiconductor, dsei12-12a, diode-fast-11a,
IXYS SEMICONDUCTOR DSEI12-12A Силовой диод быстрого действия, 1.2 кВ, 11 А, Одиночный, 2.6 В, 50 нс, 75 А
ixys-semiconductor, ixtt30n50l2, mosfet-n-ch-500v-30a-to-268,
IXYS SEMICONDUCTOR IXTT30N50L2 МОП-транзистор, LINEAR L2™, N Канал, 30 А, 500 В, 200 мОм, 10 В, 2.5 В
ixys-semiconductor, ixfa10n80p, mosfet-n-to-263,
IXYS SEMICONDUCTOR IXFA10N80P Силовой МОП-транзистор, PolarFET, N Канал, 10 А, 800 В, 1.1 Ом, 10 В, 5.5 В
ixys-semiconductor, dsa30c45hb, diode-schottky-to-247ad,
IXYS SEMICONDUCTOR DSA30C45HB Диод Шоттки малого сигнала, Двойной Общий Катод, 45 В, 15 А, 620 мВ, 140 А, 175 °C
ixys-semiconductor, dsep30-12cr, diode-fast-30a-isoplus247,
IXYS SEMICONDUCTOR DSEP30-12CR Силовой диод быстрого действия, 1.2 кВ, 30 А, Одиночный, 5 В, 20 нс, 250 А
ixys-semiconductor, ixgr60n60b2, igbt-isoplus247,
IXYS SEMICONDUCTOR IXGR60N60B2 БТИЗ транзистор, изолированный, 75 А, 2 В, 250 Вт, 600 В, TO-247AD, 3 вывод(-ов)
ixys-semiconductor, ixgh48n60b3c1, igbt-600v-48a-to-247,
IXYS SEMICONDUCTOR IXGH48N60B3C1 БТИЗ транзистор, SIC, 75 А, 1.8 В, 300 Вт, 600 В, TO-247, 3 вывод(-ов)
ixys-semiconductor, ixfh16n80p, mosfet-n-to-247,
IXYS SEMICONDUCTOR IXFH16N80P Силовой МОП-транзистор, N Канал, 16 А, 800 В, 600 мОм, 10 В, 5 В
ixys-semiconductor, ixfn44n60, mosfet-n-sot-227b,
IXYS SEMICONDUCTOR IXFN44N60 Силовой МОП-транзистор, N Канал, 44 А, 600 В, 130 мОм, 10 В, 4.5 В