INFINEON FP35R12KT4B15BOSA1 БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 35 А, 1.85 В, 210 Вт, 1.2 кВ, Module Новинка
Метка: MODULE Новинка
infineon, f3l150r07w2e3b11boma1, igbt-module-n-ch-650v-150a,
INFINEON F3L150R07W2E3B11BOMA1 БТИЗ массив и модульный транзистор, EasyPACK, N Канал, 150 А, 1.45 В, 335 Вт, 650 В, Module Новинка
infineon, fp25r12kt3bosa1, igbt-module-n-ch-1-2kv-25a,
INFINEON FP25R12KT3BOSA1 БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 25 А, 1.7 В, 155 Вт, 1.2 кВ, Module Новинка
infineon, f3l100r07w2e3b11boma1, igbt-module-n-ch-650v-100a,
INFINEON F3L100R07W2E3B11BOMA1 БТИЗ массив и модульный транзистор, EasyPACK 2B, N Канал, 100 А, 1.45 В, 300 Вт, 650 В, Module Новинка
taiwan-semiconductor, gbpc3502, diode-bridge-rect-1-ph-200v-module,
TAIWAN SEMICONDUCTOR GBPC3502 DIODE, BRIDGE RECT, 1-PH, 200V, MODULE Новинка
infineon, fp25r12ke3bosa1, igbt-module-n-ch-1-2kv-25a,
INFINEON FP25R12KE3BOSA1 БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 25 А, 1.7 В, 155 Вт, 1.2 кВ, Module Новинка
infineon, f3l75r07w2e3b11boma1, igbt-module-n-ch-650v-75a,
INFINEON F3L75R07W2E3B11BOMA1 БТИЗ массив и модульный транзистор, EasyPACK 2B, N Канал, 75 А, 1.45 В, 250 Вт, 650 В, Module Новинка
taiwan-semiconductor, gbpc2501, diode-bridge-rect-1-ph-100v-module,
TAIWAN SEMICONDUCTOR GBPC2501 DIODE, BRIDGE RECT, 1-PH, 100V, MODULE Новинка
infineon, fp75r12kt3bosa1, igbt-module-n-ch-1-2kv-75a,
INFINEON FP75R12KT3BOSA1 БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 75 А, 1.7 В, 355 Вт, 1.2 кВ, Module Новинка
infineon, ff600r12me4b11bpsa1, igbt-module-n-ch-1-2kv-600a,
INFINEON FF600R12ME4B11BPSA1 БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 600 А, 1.75 В, 4.05 кВт, 1.2 кВ, Module Новинка