fuji-electric, 1mbi2400u4d-120, igbt-module-single-2400a-1200v,

FUJI ELECTRIC 1MBI2400U4D-120 БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 3.6 кА, 2.11 В, 14.7 кВт, 1.2 кВ, Module

stmicroelectronics, stn3nf06, mosfet-n-ch-60v-4a-sot223,

STMICROELECTRONICS STN3NF06 МОП-транзистор, N Канал, 1.5 А, 60 В, 0.07 Ом, 20 В, 3 В

ixys-semiconductor, ixfn24n100, mosfet-n-sot-227b,

IXYS SEMICONDUCTOR IXFN24N100 Силовой МОП-транзистор, N Канал, 24 А, 1 кВ, 390 мОм, 10 В, 5.5 В

diodes-inc, zxmn2a01fta, mosfet-n-sot-23,

DIODES INC. ZXMN2A01FTA МОП-транзистор, низковольтный, N Канал, 2.2 А, 20 В, 120 мОм, 4.5 В, 700 мВ

stmicroelectronics, stw11nm80, mosfet-n-ch-800v-11a-to-247,

STMICROELECTRONICS STW11NM80 Силовой МОП-транзистор, N Канал, 11 А, 800 В, 350 мОм, 10 В, 4 В

taiwan-semiconductor, tsm1n45ct, mosfet-n-ch-450v-4a-to92,

TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM1N45CT МОП-транзистор, N Канал, 500 мА, 450 В, 3.7 Ом, 10 В, 3 В

infineon, irlb3036pbf, mosfet-n-ch-60v-195a-to220,

INFINEON IRLB3036PBF МОП-транзистор, N Канал, 165 А, 60 В, 0.0019 Ом, 10 В, 2.5 В

toshiba, tk80d08k3-q, mosfet-n-ch-75v-80a-to-220w,

TOSHIBA TK80D08K3(Q) МОП-транзистор, N Канал, 80 А, 75 В, 3.6 мОм, 10 В, 2 В

infineon, ipa60r330p6xksa1, mosfet-n-ch-600v-12a-to-220fp,

INFINEON IPA60R330P6XKSA1 Силовой МОП-транзистор, N Канал, 12 А, 600 В, 0.297 Ом, 10 В, 4 В Новинка

stmicroelectronics, stw20nm50, mosfet-n-to-247,

STMICROELECTRONICS STW20NM50 МОП-транзистор, N Канал, 20 А, 550 В, 250 мОм, 10 В, 4 В