fuji-electric, 7mbr25sa-120-50, igbt-7-pack-mod-1200v-25a-m711,

FUJI ELECTRIC 7MBR25SA-120-50 БТИЗ массив и модульный транзистор, упаковка из 7, N Канал, 25 А, 2.1 В, 180 Вт, 1.2 кВ, Module

stmicroelectronics, stn3nf06l, mosfet-n-sot-223,

STMICROELECTRONICS STN3NF06L МОП-транзистор, N Канал, 4 А, 60 В, 0.07 Ом, 10 В, 2.8 В

nxp, 2n7002f, mosfet-n-ch-60v-0-475a-sot23,

NEXPERIA 2N7002F МОП-транзистор, N Канал, 475 мА, 60 В, 0.78 Ом, 10 В, 2 В

infineon, bsz105n04nsgatma1, mosfet-n-ch-40a-40v-pg-tsdson,

INFINEON BSZ105N04NSGATMA1 МОП-транзистор, N Канал, 40 А, 40 В, 8.8 мОм, 10 В, 2 В

fairchild-semiconductor, 2n7000-d26z, mosfet-n-ch-60v-0-2a-to-92,

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N7000_D26Z МОП-транзистор, N Канал, 200 мА, 60 В, 5 Ом, 10 В, 2.1 В

stmicroelectronics, stn4nf20l, mosfet-n-ch-200v-1a-sot-223-4,

STMICROELECTRONICS STN4NF20L МОП-транзистор, N Канал, 1 А, 200 В, 1.1 Ом, 10 В, 2 В

infineon, fp50r12kt4bosa1, igbt-module-n-ch-1-2kv-50a,

INFINEON FP50R12KT4BOSA1 БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 50 А, 1.85 В, 280 Вт, 1.2 кВ, Module Новинка

diodes-inc, zxmn6a09gta, mosfet-n-sot-223,

DIODES INC. ZXMN6A09GTA МОП-транзистор, низковольтный, N Канал, 6.9 А, 60 В, 45 мОм, 10 В, 1 В

stmicroelectronics, stf25nm60nd, mosfet-n-ch-600v-21a-to-220fp,

STMICROELECTRONICS STF25NM60ND Силовой МОП-транзистор, N Канал, 21 А, 600 В, 0.13 Ом, 10 В, 4 В

stmicroelectronics, vnb35n07tr-e, mosfet-omnifet-70v-35a-d2pak,

STMICROELECTRONICS VNB35N07TR-E МОП-транзистор, N Канал, 18 А, 80 В, 28 мОм, 10 В, 3 В