diodes-inc, 2n7002ta, mosfet-n-sot-23,

DIODES INC. 2N7002TA МОП-транзистор, N Канал, 115 мА, 60 В, 7.5 Ом, 10 В, 2.5 В

stmicroelectronics, stp16nf06l, mosfet-n-ch-60v-16a-to220,

STMICROELECTRONICS STP16NF06L МОП-транзистор, N Канал, 16 А, 60 В, 0.07 Ом, 10 В, 1 В

nxp, 2n7002bkt, mosfet-n-ch-60v-0-29a-sot416,

2N7002BKT МОП-транзистор, N Канал, 290 мА, 60 В, 1 Ом, 10 В, 1.6 В

fairchild-semiconductor, fdms86500l, mosfet-n-ch-60v-80a-power56,

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMS86500L МОП-транзистор, N Канал, 80 А, 60 В, 0.0021 Ом, 10 В, 1.8 В

infineon, f3l300r07pe4bosa1, igbt-module-n-ch-650v-300a,

INFINEON F3L300R07PE4BOSA1 БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 300 А, 1.55 В, 940 Вт, 650 В, Module Новинка

diodes-inc, zvn4210gta, mosfet-n-ch-100v-0-8a-sot223,

DIODES INC. ZVN4210GTA МОП-транзистор, режим обогащения, N Канал, 800 мА, 100 В, 1.5 Ом, 10 В, 800 мВ

ixys-semiconductor, ixfn60n80p, mosfet-n-sot-227b,

IXYS SEMICONDUCTOR IXFN60N80P Силовой МОП-транзистор, N Канал, 60 А, 800 В, 140 мОм, 10 В, 5 В

diodes-inc, zxm64n02x, mosfet-n-msop-8,

DIODES INC. ZXM64N02X МОП-транзистор, N Канал, 5.4 А, 20 В, 40 мОм, 4.5 В, 700 мВ

stmicroelectronics, stw5nk100z, mosfet-n-to-247,

STMICROELECTRONICS STW5NK100Z Силовой МОП-транзистор, N Канал, 3.5 А, 1 кВ, 3.7 Ом, 10 В, 3.75 В

taiwan-semiconductor, tsm3460cx6, mosfet-with-esd-n-ch-20v-6a-sot26,

TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM3460CX6 МОП-транзистор, N Канал, 6 А, 20 В, 0.022 Ом, 4.5 В, 800 мВ