Метка: Силовые

fairchild-semiconductor, fdc6305n, mosfet-dual-nn-supersot-6,

Минск, Обновлено: 3 января 2025г., 00:00

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC6305N Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 2.7 А, 20 В, 80 мОм, 4.5 В, 900 мВ

rohm, sct2h12nzgc11, mosfet-n-ch-1-7kv-3-7a-to-3pfm,

Минск, Обновлено: 3 января 2025г., 00:00

ROHM SCT2H12NZGC11 Силовой МОП-транзистор, карбид кремния (SiC), N Канал, 3.7 А, 1.7 кВ, 1.15 Ом, 18 В, 2.8 В

multicomp, ss310, diode-schottky-3a-100v-smc,

Минск, Обновлено: 3 января 2025г., 00:00

MULTICOMP SS310 Выпрямитель Шоттки, 100 В, 3 А, Одиночный, DO-214AB, 2 вывод(-ов), 850 мВ

diodes-inc, pds3100-13, schottky-rectifier-3a-100v-powerdi,

Минск, Обновлено: 3 января 2025г., 00:00

DIODES INC. PDS3100-13 Выпрямитель Шоттки, AEC-Q101, 100 В, 3 А, Одиночный, PowerDI 5, 3 вывод(-ов), 760 мВ

on-semiconductor, mjd31ct4g, bipolar-transistor-npn-100v-3a,

Минск, Обновлено: 3 января 2025г., 00:00

ON SEMICONDUCTOR MJD31CT4G. BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 100V, 3A, TO-252

nxp, bsh205g2, mosfet-p-ch-20v-2a-to236ab,

Минск, Обновлено: 3 января 2025г., 00:00

BSH205G2 МОП-транзистор, P Канал, -2 А, -20 В, 0.12 Ом, -4.5 В, -700 мВ

nxp, pqmd2, brt-transistor-aec-q101-50v-22k,

Минск, Обновлено: 3 января 2025г., 00:00

PQMD2 Биполярный цифровой/смещение транзистор, AEC-Q101, 50 В, 100 мА, 22 кОм, 22 кОм, 1 соотношение