on-semiconductor, ntmd6n03r2g, mosfet-dual-n-ch-30v-6a-nsoic,

ON SEMICONDUCTOR NTMD6N03R2G Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 6 А, 30 В, 0.024 Ом, 10 В, 1.8 В

advanced-power-electronics-corp, ap70t03gh-hf-3tr, mosfet-nch-30v-9mohm-to-252,

ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP AP70T03GH-HF-3TR МОП-транзистор, N Канал, 60 А, 30 В, 0.009 Ом, 10 В, 1 В

panasonic-electronic-components, da2j10400l, diode-ultrafast-recovery-200ma,

PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS DA2J10400L DIODE, ULTRAFAST RECOVERY, 200mA, 80V, SMINI2-F5-B, FULL REEL

on-semiconductor, ncv8402astt3g, mosfet-aec-q100-n-ch-42v-sot-223,

ON SEMICONDUCTOR NCV8402ASTT3G МОП-транзистор, N Канал, 2.37 А, 42 В, 0.165 Ом, 10 В, 1.8 В Новинка

infineon, irff9130, mosfet-p-ch-100v-6-5a-to-39,

INFINEON IRFF9130. МОП-транзистор, P Канал, -6.5 А, -100 В, 0.345 Ом, -10 В, -2 В

diodes-inc, s1msp1-7, rectifier-single-1kv-1a-powerdi123,

DIODES INC. S1MSP1-7 Стандартный силовой диод, 1 кВ, 1 А, Одиночный, 1.1 В, 1.2 мкс, 25 А Новинка

on-semiconductor, ntjd5121nt2g, mosfet-dual-n-ch-60v-0-295a-sot,

ON SEMICONDUCTOR NTJD5121NT2G Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 295 мА, 60 В, 1 Ом, 10 В, 1.7 В

fuji-electric, 7mbr50vp-120-50, igbt-7-pk-v-ser-50a-1200v-m719,

FUJI ELECTRIC 7MBR50VP-120-50 БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 50 А, 2.15 В, 280 Вт, 1.2 кВ, Module

taiwan-semiconductor, tsm3446cx6, mosfet-n-ch-20v-5-3a-sot26,

TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM3446CX6 МОП-транзистор, N Канал, 5.3 А, 20 В, 0.027 Ом, 4.5 В, 700 мВ