IXYS SEMICONDUCTOR DSEP30-12CR Силовой диод быстрого действия, 1.2 кВ, 30 А, Одиночный, 5 В, 20 нс, 250 А
Метка: -1.2 кВ
stmicroelectronics, stpsc20h12gy-tr, sic-schottky-diode-auto-1-2kv,
STMICROELECTRONICS STPSC20H12GY-TR Карбидокремниевый диод Шоттки, Одиночный, 1.2 кВ, 38 А, 129 нКл, TO-252 Новинка
vishay, vs-hfa16tb120spbf, diode-fast-16a-d2-pak,
VISHAY VS-HFA16TB120SPBF Стандартный силовой диод, 1.2 кВ, 16 А, Одиночный, 3.93 В, 245 нс, 190 А
infineon, skw07n120fksa1, igbt-npt-1200v-16-5a-125w-to247,
INFINEON SKW07N120FKSA1 БТИЗ транзистор, 16.5 А, 3.1 В, 125 Вт, 1.2 кВ, TO-247, 3 вывод(-ов)
fairchild-semiconductor, isl9r8120p2, diode-fast-8a-1200v-to-220,
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ISL9R8120P2… Стандартный силовой диод, 1.2 кВ, 8 А, Одиночный, 3.3 В, 44 нс, 100 А
infineon, fp40r12ke3, igbt-module-1200v-econopim,
INFINEON FP40R12KE3 БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 55 А, 2.3 В, 200 Вт, 1.2 кВ, EconoPIM
fuji-electric, 7mbp75tea-120-50, igbt-7-pack-mod-1200v-75a-p622,
FUJI ELECTRIC 7MBP75TEA-120-50 БТИЗ транзистор, 75 А, 2.2 В, 368 Вт, 1.2 кВ, Module, 25 вывод(-ов)
infineon, fp75r12kt4bosa1, igbt-module-n-ch-1-2kv-75a,
INFINEON FP75R12KT4BOSA1 БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 75 А, 1.85 В, 385 Вт, 1.2 кВ, Module Новинка
on-semiconductor, ngtb40n120s3wg, igbt-single-1-2kv-160a-to-247,
ON SEMICONDUCTOR NGTB40N120S3WG БТИЗ транзистор, 160 А, 1.7 В, 454 Вт, 1.2 кВ, TO-247, 3 вывод(-ов) Новинка
vishay, vs-40mt120uhapbf, igbt-module-1200v-80a-mtp,
VISHAY VS-40MT120UHAPBF БТИЗ массив и модульный транзистор, NPN, 80 А, 5.35 В, 463 Вт, 1.2 кВ, MTP