IXYS SEMICONDUCTOR DSEI120-12A Модуль диода, 1.2 кВ, 109 А, 1.55 В, Одиночный, DSEI1 Series
Метка: -1.2 кВ
wolfspeed, cas120m12bm2, mosfet-dual-n-ch-1-2kv-193a-module,
WOLFSPEED CAS120M12BM2 Биполярный транзистор, Двойной N Канал, 193 А, 1.2 кВ, 0.013 Ом, 20 В, 2.6 В
vishay, vs-gb50la120ux, transistor-igbt-1200v-50a-sot227,
VISHAY VS-GB50LA120UX БТИЗ транзистор, 84 А, 3.22 В, 431 Вт, 1.2 кВ, SOT-227, 4 вывод(-ов)
semikron, skb-30-12-a1, rectifier-bridge-1ph-1200v-150a,
SEMIKRON SKB 30/12 A1 Мостовой выпрямитель, Одна, 1.2 кВ, 150 А, Модуль, 2.2 В, 4 вывод(-ов)
ixys-semiconductor, ixa17if1200hj, igbt-1200v-28a-isoplus247,
IXYS SEMICONDUCTOR IXA17IF1200HJ БТИЗ транзистор, 28 А, 2.1 В, 100 Вт, 1.2 кВ, TO-247AD, 3 вывод(-ов)
fuji-electric, fgw25n120vd, igbt-single-1-2kv-48a-to-247-3,
FUJI ELECTRIC FGW25N120VD БТИЗ транзистор, 48 А, 1.85 В, 260 Вт, 1.2 кВ, TO-247, 3 вывод(-ов)
fuji-electric, 6mbi10s-120-50, igbt-6-pack-mod-1200v-10a-m623,
FUJI ELECTRIC 6MBI10S-120-50 БТИЗ массив и модульный транзистор, упаковка из 6, N Канал, 10 А, 2.6 В, 75 Вт, 1.2 кВ, Module
fuji-electric, 2mbi150u4a-120-50, igbt-dual-module-150a-1200v,
FUJI ELECTRIC 2MBI150U4A-120-50 БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 200 А, 2.3 В, 735 Вт, 1.2 кВ, Module
infineon, idh20g120c5xksa1, sic-schottky-diode-1-2kv-56a-to,
INFINEON IDH20G120C5XKSA1 Карбидокремниевый диод Шоттки, thinQ Series, Одиночный, 1.2 кВ, 56 А, 82 нКл, TO-220 Новинка
stmicroelectronics, tn3050h-12gy-tr, thyristor-aec-q101-30a-1-2kv-to,
STMICROELECTRONICS TN3050H-12GY-TR Тиристор, 1.2 кВ, 50 мА, 19 А, 30 А, TO-263, 3 вывод(-ов) Новинка