WOLFSPEED C4D08120E Карбидокремниевый диод Шоттки, SIC, Одиночный, 1.2 кВ, 24.5 А, 37 нКл, TO-252
Метка: -1.2 кВ
infineon, ff600r12me4b11bpsa1, igbt-module-n-ch-1-2kv-600a,
INFINEON FF600R12ME4B11BPSA1 БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 600 А, 1.75 В, 4.05 кВт, 1.2 кВ, Module Новинка
ixys-semiconductor, ixa37if1200hj, igbt-1200v-58a-isoplus247,
IXYS SEMICONDUCTOR IXA37IF1200HJ БТИЗ транзистор, 58 А, 2.1 В, 195 Вт, 1.2 кВ, TO-247AD, 3 вывод(-ов)
stmicroelectronics, stpsc20h12gy-tr, sic-schottky-diode-auto-1-2kv,
STMICROELECTRONICS STPSC20H12GY-TR Карбидокремниевый диод Шоттки, Одиночный, 1.2 кВ, 38 А, 129 нКл, TO-252 Новинка
vishay, vs-20etf12pbf, diode-ultrafast-20a,
VISHAY VS-20ETF12PBF Стандартный силовой диод, 1.2 кВ, 20 А, Одиночный, 1.31 В, 60 нс, 300 А
semikron, skm150gar12t4, igbt-chopper-module-150a-1200v,
SEMIKRON SKM150GAR12T4. БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 150 А, 1.2 кВ, SEMITRANS 2
ixys-semiconductor, ixa12if1200hb, igbt-1200v-20a-to-247,
IXYS SEMICONDUCTOR IXA12IF1200HB БТИЗ транзистор, 20 А, 2.1 В, 85 Вт, 1.2 кВ, TO-247AD, 3 вывод(-ов)
infineon, fs50r12w2t4-b11, igbt-l-power-1200v-50a-easypack,
INFINEON FS50R12W2T4_B11 БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 50 А, 1.85 В, 335 Вт, 1.2 кВ, Module
fuji-electric, 7mbr25sa-120-50, igbt-7-pack-mod-1200v-25a-m711,
FUJI ELECTRIC 7MBR25SA-120-50 БТИЗ массив и модульный транзистор, упаковка из 7, N Канал, 25 А, 2.1 В, 180 Вт, 1.2 кВ, Module
infineon, fp40r12kt3bosa1, igbt-module-n-ch-1-2kv-40a,
INFINEON FP40R12KT3BOSA1 БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 40 А, 1.8 В, 210 Вт, 1.2 кВ, Module Новинка