IXYS SEMICONDUCTOR IXFX20N120 Силовой МОП-транзистор, HiPerFET, N Канал, 20 А, 1.2 кВ, 750 мОм, 10 В, 4.5 В
Метка: -1.2 кВ
infineon, fs200r12pt4, igbt-pow-quad-w-ntc-1200v-200a,
INFINEON FS200R12PT4 БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 200 А, 1.75 В, 1 кВт, 1.2 кВ, Module
fuji-electric, 7mbr35sb-120-50, igbt-7-pack-mod-1200v-35a-m712,
FUJI ELECTRIC 7MBR35SB-120-50 БТИЗ массив и модульный транзистор, упаковка из 7, N Канал, 35 А, 2.1 В, 240 Вт, 1.2 кВ, Module
infineon, fp50r12kt4bosa1, igbt-module-n-ch-1-2kv-50a,
INFINEON FP50R12KT4BOSA1 БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 50 А, 1.85 В, 280 Вт, 1.2 кВ, Module Новинка
infineon, idw20g120c5bfksa1, sic-schottky-diode-1-2kv-62a-to,
INFINEON IDW20G120C5BFKSA1 Карбидокремниевый диод Шоттки, thinQ Series, Двойной Общий Катод, 1.2 кВ, 62 А, 106 нКл, TO-247 Новинка
vishay, vs-8ewf12spbf, diode-ultrafast-8a,
VISHAY VS-8EWF12SPBF. Стандартный силовой диод, 1.2 кВ, 8 А, Одиночный, 1.2 В, 80 нс, 170 А
semisouth, sdp10s120d, diode-dual-sic-1200v-10a-to247,
SEMISOUTH SDP10S120D Карбидокремниевый диод Шоттки, SIC, Двойной Общий Катод, 1.2 кВ, 10 А, 39 нКл, TO-247
infineon, irg7ph46ud-ep, igbt-single-n-ch-1-2kv-108a-to247ad,
INFINEON IRG7PH46UD-EP БТИЗ транзистор, N-канальный, 108 А, 2 В, 390 Вт, 1.2 кВ, TO-247AD, 3 вывод(-ов)
infineon, ff450r12kt4hosa1, igbt-module-dual-npn-1-75v-580a,
INFINEON FF450R12KT4HOSA1 БТИЗ массив и модульный транзистор, Двойной NPN, 580 А, 1.75 В, 2.4 кВт, 1.2 кВ, Module
fuji-electric, 2mbi400u4h-120-50, igbt-2-pack-mod-1200v-400a-m234,
FUJI ELECTRIC 2MBI400U4H-120-50 БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 400 А, 2.05 В, 2.045 кВт, 1.2 кВ, Module