STMICROELECTRONICS STTH112U Силовой диод быстрого действия, 1.2 кВ, 1 А, Одиночный, 1.65 В, 75 нс, 18 А
Метка: -1.2 кВ
stmicroelectronics, stbr3012w, rectifier-single-30a-1-2kv-do,
STMICROELECTRONICS STBR3012W Стандартный силовой диод, 1.2 кВ, 30 А, Одиночный, 1.3 В, 300 А Новинка
ixys-semiconductor, ixa12if1200tc, igbt-1200v-20a-to-268aa,
IXYS SEMICONDUCTOR IXA12IF1200TC БТИЗ транзистор, 20 А, 2.1 В, 85 Вт, 1.2 кВ, TO-268AA, 3 вывод(-ов)
infineon, fs75r12w2t4, igbt-l-power-1200v-75a-easypack,
INFINEON FS75R12W2T4 БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 75 А, 1.85 В, 375 Вт, 1.2 кВ, Module
fuji-electric, 7mbr50sb-120-50, pim-7pk-igbt-mod-i-p-br-50a-1200v,
FUJI ELECTRIC 7MBR50SB-120-50 БТИЗ массив и модульный транзистор, SEMITRANS, N Канал, 75 А, 2.7 В, 360 Вт, 1.2 кВ, Module
infineon, fp50r12kt3bosa1, igbt-module-n-ch-1-2kv-50a,
INFINEON FP50R12KT3BOSA1 БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 50 А, 1.7 В, 280 Вт, 1.2 кВ, Module Новинка
infineon, idw10g120c5bfksa1, sic-schottky-diode-1-2kv-34a-to,
INFINEON IDW10G120C5BFKSA1 Карбидокремниевый диод Шоттки, thinQ Series, Двойной Общий Катод, 1.2 кВ, 34 А, 57 нКл, TO-247 Новинка
vishay, vs-ga100ts120upbf, igbt-module-1200v-100a-int-a-pak,
VISHAY VS-GA100TS120UPBF БТИЗ массив и модульный транзистор, NPN, 182 А, 2.25 В, 520 Вт, 1.2 кВ, INT-A-PAK
semisouth, sdb10s120, diode-sic-1200v-10a-to-252,
SEMISOUTH SDB10S120 Карбидокремниевый диод Шоттки, SIC, Одиночный, 1.2 кВ, 10 А, 40 нКл, TO-252
infineon, irg7ph42udpbf, igbt-n-ch-diode-1200v-85a-to-247ac,
INFINEON IRG7PH42UDPBF БТИЗ транзистор, 85 А, 1.7 В, 320 Вт, 1.2 кВ, TO-247AC, 3 вывод(-ов)