FUJI ELECTRIC 6MBI25S-120-50 БТИЗ транзистор, упаковка из 6, 25 А, 2.6 В, 180 Вт, 1.2 кВ, Module, 17 вывод(-ов)
Метка: -1.2 кВ
fuji-electric, 2mbi100va-120-50, igbt-module-1-2kv-100a,
FUJI ELECTRIC 2MBI100VA-120-50 БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 100 А, 1.75 В, 555 Вт, 1.2 кВ, Module
stmicroelectronics, stbr6012w, rectifier-single-60a-1-2kv-do,
STMICROELECTRONICS STBR6012W Стандартный силовой диод, 1.2 кВ, 60 А, Одиночный, 1.3 В, 500 А Новинка
vishay, vs-30epf12pbf, diode-ultrafast-30a,
VISHAY VS-30EPF12PBF Стандартный силовой диод, 1.2 кВ, 30 А, Одиночный, 1.41 В, 60 нс, 350 А
genesic-semiconductor, s70q, diode-rectifier-1200v-70a-do5,
GENESIC SEMICONDUCTOR S70Q Модуль диода, кремниевый, 1.2 кВ, 70 А, 1.1 В, Одиночный, S70Q Series
infineon, irg4psh71kpbf, igbt-1200v-78a-to-274aa,
INFINEON IRG4PSH71KPBF БТИЗ транзистор, 78 А, 3.9 В, 350 Вт, 1.2 кВ, TO-274AA, 3 вывод(-ов)
ixys-semiconductor, dsec30-12a, diode-fast-30a-to-247ad,
IXYS SEMICONDUCTOR DSEC30-12A Модуль диода, эпитаксиальный диод (HiPerFRED ), 1.2 кВ, 15 А, 1.78 В, 1 Пара с Общим Катодом
littelfuse, v1000la160bp, varistor-360j-1000vac,
LITTELFUSE V1000LA160BP TVS-варистор, металлоксидный варистор, 1 кВ, 1.2 кВ, Серия LA, 2.42 кВ, Диск 20мм
infineon, irg7ph42upbf, igbt-n-ch-1200v-90a-to-247ac,
INFINEON IRG7PH42UPBF БТИЗ транзистор, 90 А, 1.7 В, 385 Вт, 1.2 кВ, TO-247AC, 3 вывод(-ов)
vishay, vs-gb75yf120n, igbt-module-1200v-75a-4pack,
VISHAY VS-GB75YF120N БТИЗ массив и модульный транзистор, NPN, 100 А, 3.8 В, 480 Вт, 1.2 кВ, EconoPACK