BOURNS 2097-100-DLF Газоразрядная трубка (GDT), высоковольтный, Серия 2097, 1 кВ, Осевые Выводы, 20 кА, 1.7 кВ
Метка: 1.7 кВ
fuji-electric, 1mbi1200u4c-170, igbt-module-single-1200a-1700v,
FUJI ELECTRIC 1MBI1200U4C-170 БТИЗ массив и модульный транзистор, Двойной N Канал, 1.6 кА, 2.43 В, 7.35 кВт, 1.7 кВ, Module
fuji-electric, 1mbi3600u4d-170, igbt-module-single-3600a-1700v,
FUJI ELECTRIC 1MBI3600U4D-170 БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 4.8 кА, 2.57 В, 18.65 кВт, 1.7 кВ, Module
semikron, skm600ga176d, igbt-module-n-ch-1-7kv-660a,
SEMIKRON SKM600GA176D БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 660 А, 2 В, 1.7 кВ, Module
fuji-electric, 1mbi2400u4d-170, igbt-module-single-2400a-1700v,
FUJI ELECTRIC 1MBI2400U4D-170 БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 3.6 кА, 2.47 В, 14.7 кВт, 1.7 кВ, Module
semikron, skm400gb176d, igbt-module-dual-1700v-430a,
SEMIKRON SKM400GB176D БТИЗ массив и модульный транзистор, Двойной NPN, 430 А, 2 В, 1.7 кВ, SEMITRANS 3
wolfspeed, cas300m17bm2, mosfet-dual-n-ch-1-7kv-325a-module,
WOLFSPEED CAS300M17BM2 Биполярный транзистор, Двойной N Канал, 325 А, 1.7 кВ, 0.008 Ом, 20 В, 2.3 В
ixys-semiconductor, ixgr32n170ah1, igbt-isoplus247,
IXYS SEMICONDUCTOR IXGR32N170AH1 БТИЗ транзистор, 26 А, 5.2 В, 200 Вт, 1.7 кВ, ISOPLUS-247, 3 вывод(-ов)
rohm, sct2h12nzgc11, mosfet-n-ch-1-7kv-3-7a-to-3pfm,
ROHM SCT2H12NZGC11 Силовой МОП-транзистор, карбид кремния (SiC), N Канал, 3.7 А, 1.7 кВ, 1.15 Ом, 18 В, 2.8 В
infineon, ff150r17ke4hosa1, igbt-module-dual-npn-1-95v-150a,
INFINEON FF150R17KE4HOSA1 БТИЗ массив и модульный транзистор, Двойной NPN, 250 А, 1.95 В, 1.1 кВт, 1.7 кВ, Module