infineon, df650r17ie4, igbt-hi-po-chop-ntc-1700v-650a,

INFINEON DF650R17IE4 БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 650 А, 2 В, 4.15 кВт, 1.7 кВ, Module

ixys-semiconductor, dh60-18a, diode-fast-1800v-to-247ad,

IXYS SEMICONDUCTOR DH60-18A Стандартный силовой диод, 1.8 кВ, 60 А, Одиночный, 2.7 В, 150 нс, 650 А