IXYS SEMICONDUCTOR IXGR32N170AH1 БТИЗ транзистор, 26 А, 5.2 В, 200 Вт, 1.7 кВ, ISOPLUS-247, 3 вывод(-ов)
Метка: 1.7 кВ
rohm, sct2h12nzgc11, mosfet-n-ch-1-7kv-3-7a-to-3pfm,
ROHM SCT2H12NZGC11 Силовой МОП-транзистор, карбид кремния (SiC), N Канал, 3.7 А, 1.7 кВ, 1.15 Ом, 18 В, 2.8 В
infineon, ff150r17ke4hosa1, igbt-module-dual-npn-1-95v-150a,
INFINEON FF150R17KE4HOSA1 БТИЗ массив и модульный транзистор, Двойной NPN, 250 А, 1.95 В, 1.1 кВт, 1.7 кВ, Module
ixys-semiconductor, ixgr16n170ah1, igbt-isoplus247,
IXYS SEMICONDUCTOR IXGR16N170AH1 БТИЗ транзистор, изолированный, 16 А, 5 В, 120 Вт, 1.7 кВ, TO-247AD, 3 вывод(-ов)
infineon, ff450r17ie4, igbt-h-b-ntc-1700v-450a-primepa,
INFINEON FF450R17IE4 БТИЗ массив и модульный транзистор, PrimePACK™2, N Канал, 450 А, 2 В, 900 Вт, 1.7 кВ, Module
cree, c2m1000170d, mosfet-n-ch-1700v-4-9a-sic-to247,
WOLFSPEED C2M1000170D Силовой МОП-транзистор, N Канал, 4.9 А, 1.7 кВ, 0.95 Ом, 20 В, 2.4 В
infineon, ff200r17ke4hosa1, igbt-module-dual-npn-1-95v-310a,
INFINEON FF200R17KE4HOSA1 БТИЗ массив и модульный транзистор, Двойной NPN, 310 А, 1.95 В, 1.25 кВт, 1.7 кВ, Module
infineon, ff300r17ke4hosa1, igbt-module-dual-npn-1-95v-440a,
INFINEON FF300R17KE4HOSA1 БТИЗ массив и модульный транзистор, Двойной NPN, 440 А, 1.95 В, 1.8 кВт, 1.7 кВ, Module